[发明专利]薄型双面封装基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄型双面封装基板，包含：

一载板，其具有一第一表面、一第二表面以及一通孔，该通孔贯通该第一表面以及该第二表面；

至少一第一导电层，堆栈于该第一表面；

至少一第二导电层，堆栈于该第二表面，并覆盖该通孔的一端开口；

一导电元件，设置于该通孔中，用以电性连接该第一导电层以及该第二导电层；

一第一金属层，堆栈于该第一导电层及/或该第二导电层；以及

至少一芯片容置槽，设置于该载板中，用以容置至少一芯片。

2.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该芯片容置槽的底部是由该第二导电层或该载板所形成。

3.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该第一导电层被该通孔贯通。

4.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该第一导电层包含多层电路，其中至少一该电路被该通孔贯通。

5.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该载板的材料为铜箔基板、绝缘材料、玻璃纤维预浸布或高分子材料。

6.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该第一导电层以及该第二导电层的材料为金属或铜。

7.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该导电元件的材料为铜、金属材质或导电胶。

8.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该第一金属层材料为金、镍、钯、锡、银或其组合。

9.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于还包含：

一第二金属层，设置于该芯片容置槽的内壁表面。

10.根据权利要求9所述的薄型双面封装基板，其特征在于还包含：

一第三金属层，设置于该第二金属层的表面，该第三金属层的材料为金、镍、钯、锡、银或其组合。

11.根据权利要求1所述的薄型双面封装基板，其特征在于该芯片为一发光二极管。

12.一种薄型双面封装基板的制造方法，其步骤包含：

提供一载板，其具有一第一表面以及一第二表面；

堆栈一第一导电层于该第一表面；

堆栈一第二导电层于该第二表面；

形成一通孔以贯通该第一导电层以及该载板，而未贯通该第二导电层；

设置一导电元件于该通孔中，用以电性连接该第一导电层以及该第二导电层；

形成所需的电路于该第一导电层及/或该第二导电层；

堆栈一第一金属层于该第一导电层及/或该第二导电层；以及

移除相对于一预定位置的该载板以形成至少一芯片容置槽，用以容置至少一芯片。

13.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于该芯片容置槽的底部是由该第二导电层或该载板所形成。

14.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于该芯片容置槽是以等离子体法、激光法、深度控制法、影像转移法或机械法所形成。

15.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于该通孔是以等离子体法、激光钻孔法、深度控制法或光显影成孔法所形成。

16.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于堆栈该第一金属层是以影像转移法来对选择的区域表面进行处理。

17.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于该载板的材料为铜箔基板、绝缘材料、玻璃纤维预浸布或高分子材料。

18.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于该第一导电层以及该第二导电层的材料为金属或铜。

19.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于设置该导电元件是以电镀铜、电镀金属、无电解电镀法或填入导电胶的方式来完成。

20.根据权利要求12所述的薄型双面封装基板的制造方法，其特征在于该第一金属层的材料为金、镍、钯、锡、银或其组合。