[发明专利]电压箝位电路、过流保护电路、电压测量探头和设备

权利要求书

1.一种电压箝位电路，当输入节点处的电压低于箝位电压时，其将所述输入节点处的电压传送到输出节点，并且当所述输入节点处的电压高于所述箝位电压时，其将所述输出节点处的电压固定为所述箝位电压，所述电压箝位电路包括：

常通型场效应晶体管，其具有负阈电压；以及

电阻元件，其中

所述场效应晶体管包括连接到所述输入节点的漏极、连接到所述输出节点的源极、以及接收第一参考电压的栅极，

所述电阻元件具有连接到所述输出节点的一侧上的电极、以及接收第二参考电压的另一侧上的电极，

所述第一参考电压和所述第二参考电压之间的差电压高于所述场效应晶体管的负阈电压，

所述箝位电压是所述场效应晶体管的负阈电压的绝对值与所述第一参考电压的和的电压，以及

当所述输出节点处的电压低于所述箝位电压时，使所述场效应晶体管导通。

2.如权利要求1所述的电压箝位电路，其中，所述场效应晶体管由宽带隙半导体形成。

3.如权利要求1所述的电压箝位电路，其中，所述第一参考电压为正电压，所述第二参考电压为地电压。

4.如权利要求1所述的电压箝位电路，其中，所述第一参考电压和所述第二参考电压每个都为地电压。

5.一种半导体器件，包括：

如权利要求1所述的电压箝位电路；以及

半导体开关元件，其中

向所述输入节点提供所述半导体开关元件的端子间的电压。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体开关元件由宽带隙半导体形成。

7.一种过流保护电路，包括：

如权利要求1所述的电压箝位电路，其中

向所述输入节点提供要保护的半导体开关元件的端子间的电压，以及

该过流保护电路还包括驱动器，当所述输出节点处的电压超过预定电压时，该驱动器关断所述半导体开关元件。

8.一种电压测量探头，包括：

如权利要求1所述的电压箝位电路，以及

探头头，其与测量点接触并电气连接到所述输入节点。

9.一种电压测量设备，包括：

如权利要求1所述的电压箝位电路；其中

从所述输出节点测量与所述输入节点连接的测量点处的电压。

10.一种半导体评估设备，包括：

如权利要求9所述的电压测量设备；

直流电源，其在待评估的半导体开关元件的端子间提供直流电源电压；以及

脉冲产生电路，其导通和关断所述半导体开关元件，其中

所述电压测量设备从所述输出节点测量被提供到所述输入节点的所述半导体开关元件的端子间的电压。

11.一种电压箝位电路，当输入节点处的电压低于箝位电压时，其将所述输入节点处的电压传送到输出节点，并且当所述输入节点处的电压高于所述箝位电压时，其将所述输出节点处的电压固定为所述箝位电压，所述电压箝位电路包括：

第一到第N常通型场效应晶体管，其每个具有负阈电压，其中N为不小于2的整数；以及

第一到第N电阻元件，其中

所述第一到第N场效应晶体管的漏极全部连接到所述输入节点，

所述第一场效应晶体管的栅极接收第一参考电压，

所述第一到第(N-1)场效应晶体管的源极分别连接到所述第二到第N场效应晶体管的栅极，

所述第N场效应晶体管的源极连接到所述输出节点，

所述第一到第N电阻元件具有分别连接到所述第一到第N场效应晶体管的源极的一侧上的电极、以及全部接收第二参考电压的另一侧上的电极，

所述第一参考电压和所述第二参考电压之间的差电压高于所述第一到第N场效应晶体管的负阈电压，

所述箝位电压是所述第一到第N场效应晶体管的负阈电压的绝对值的总和与所述第一参考电压的和的电压，以及

当所述输出节点处的电压低于所述箝位电压时，使所述第一到第N场效应晶体管导通。

12.如权利要求11所述的电压箝位电路，其中，所述第一到第N场效应晶体管每个都由宽带隙半导体形成。

13.如权利要求11所述的电压箝位电路，其中，所述第一参考电压为正电压，所述第二参考电压为地电压。