[发明专利]用于加工垂直CMOS图像传感器的方法无效
| 申请号： | 200810126232.6 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101335237A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 朴正秀 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/31;H01L21/3105;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 加工 垂直 cmos 图像传感器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于加工垂直CMOS图像传感器的方法，包括：
在硅外延层上形成至少一个有色光电二极管；
在具有所述有色光电二极管的所述硅外延层上形成晶体管；
形成至少一条金属线；
在所述金属线的上方形成金属层；
形成第一钝化薄膜；
在第一温度下执行第一退火；
在所述第一钝化薄膜上方形成第二钝化薄膜；以及
在第二温度下执行第二退火，其中，所述第二温度高于所述第一温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一钝化薄膜是钝化氧化物薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在400℃至435℃的所述第一温度下执行所述第一退火。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在435℃至450℃的所述第二温度下执行所述第二退火。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是钝化氮化物薄膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是SiON钝化薄膜。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二钝化薄膜是SiN钝化薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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