[发明专利]制造闪存装置的方法

权利要求书

1.一种制造闪存装置的方法，包括：

在半导体衬底上形成第一氧化膜图案和第一多晶硅图案；然后

在包括所述第一氧化膜图案和所述第一多晶硅图案的所述半导体衬底上顺序形成介电膜和第二多晶硅图案；然后

在所述第二多晶硅图案上形成第二氧化膜图案；然后通过使用所述第二氧化膜图案作为掩膜蚀刻所述半导体衬底形成栅极，所述栅极包括所述第一氧化膜、所述第一多晶硅图案、所述介电膜图案、以及所述第二多晶硅图案；然后

去除所述第二氧化膜图案；然后

在所述栅极的侧壁上形成隔离物；然后

在包括所述栅极和所述隔离物的所述半导体衬底上形成层间介电膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二氧化膜图案由TEOS制成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使用氟化氢(HF)溶液去除所述第二氧化膜。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过汽相清洁处理去除所述第二氧化膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在39℃的温度执行所述汽相清洁处理。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，执行所述汽相清洁处理10秒至20秒。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第二氧化膜形成为至之间范围内的厚度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述隔离物包括：

在所述栅极的所述侧壁上形成第三氧化膜和第一氮化膜；然后

通过对所述第三氧化膜和所述第一氮化膜执行蚀刻处理，在所述栅极的所述侧壁上形成第三氧化膜图案和第一氮化膜图案；然后

去除所述第一氮化膜图案；然后

在包括所述第三氧化膜图案和所述栅极的所述半导体衬底上形成第二氮化膜；然后

对所述第二氮化膜执行蚀刻处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述隔离物包括所述第三氧化膜图案和所述第二氮化膜图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述第三氧化膜形成为至之间范围内的厚度。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述第一氮化膜形成为至之间范围内的厚度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，将所述第二氮化膜形成为至之间范围内的厚度。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述层间介电膜之前和在形成所述隔离物之后：

在包括所述栅极和所述隔离物的所述半导体衬底的整个表面之上沉积硅化物形成金属；然后

通过对包括所述硅化物形成金属的所述半导体衬底执行退火处理，在所述栅极上形成金属硅化物层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述硅化物形成金属包括钴。