[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 200810126250.4 申请日: 2005-09-08
公开(公告)号: CN101320722A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 前村公博;小林等;中岛忠俊;小平觉 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528;H01L23/552;H01L27/115
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;麻吉凤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

半导体层,具有形成有晶体管的区域;

第一层间绝缘层,形成于所述半导体层的上面;

第一布线层、第二布线层及第三布线层,形成于所述第一层间绝缘层上面以及所述区域的上面;

第二层间绝缘层,形成在所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层的上面;以及

第四布线层和第五布线层,形成在所述第二层间绝缘层的上面和所述区域的上面,

其中,所述第四布线层形成在所述第一布线层与所述第二布线层之间;

所述第五布线层形成在所述第二布线层与所述第三布线层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:

第一通路层,形成在所述第一布线层与所述第四布线层间,并与该第一布线层及该第四布线层连接,

第二通路层,形成在所述第二布线层与所述第四布线层间,并与该第二布线层及该第四布线层连接,

第三通路层,形成在所述第二布线层与所述第五布线层间,并与该第二布线层及该第五布线层连接,

第四通路层,形成在所述第三布线层与所述第五布线层间,并与该第三布线层及该第五布线层连接。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层位于所述第四布线层一端的垂直下方,

所述第二布线层位于所述第四布线层另一端的垂直下方,

所述第二布线层位于所述第五布线层一端的垂直下方,

所述第三布线层位于所述第五布线层另一端的垂直下方。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层位于所述第四布线层一端的垂直下方,

所述第二布线层位于所述第四布线层另一端的垂直下方,

所述第二布线层位于所述第五布线层一端的垂直下方,

所述第三布线层位于所述第五布线层另一端的垂直下方。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,

所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。

6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,

所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。

7.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,

所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。

8.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,

所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,

所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。

10.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,

所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。

11.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,

所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。

12.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,

所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。

13.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,

所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,

所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。

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