[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 200810126250.4 | 申请日: | 2005-09-08 |
公开(公告)号: | CN101320722A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 前村公博;小林等;中岛忠俊;小平觉 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/552;H01L27/115 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;麻吉凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,包括:
半导体层,具有形成有晶体管的区域;
第一层间绝缘层,形成于所述半导体层的上面;
第一布线层、第二布线层及第三布线层,形成于所述第一层间绝缘层上面以及所述区域的上面;
第二层间绝缘层,形成在所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层的上面;以及
第四布线层和第五布线层,形成在所述第二层间绝缘层的上面和所述区域的上面,
其中,所述第四布线层形成在所述第一布线层与所述第二布线层之间;
所述第五布线层形成在所述第二布线层与所述第三布线层之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,包括:
第一通路层,形成在所述第一布线层与所述第四布线层间,并与该第一布线层及该第四布线层连接,
第二通路层,形成在所述第二布线层与所述第四布线层间,并与该第二布线层及该第四布线层连接,
第三通路层,形成在所述第二布线层与所述第五布线层间,并与该第二布线层及该第五布线层连接,
第四通路层,形成在所述第三布线层与所述第五布线层间,并与该第三布线层及该第五布线层连接。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层位于所述第四布线层一端的垂直下方,
所述第二布线层位于所述第四布线层另一端的垂直下方,
所述第二布线层位于所述第五布线层一端的垂直下方,
所述第三布线层位于所述第五布线层另一端的垂直下方。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层位于所述第四布线层一端的垂直下方,
所述第二布线层位于所述第四布线层另一端的垂直下方,
所述第二布线层位于所述第五布线层一端的垂直下方,
所述第三布线层位于所述第五布线层另一端的垂直下方。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,
所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,
所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。
7.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,
所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。
8.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层形成在同一层上,
所述第四布线层及所述第五布线层形成在同一层上。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,
所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。
10.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,
所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。
11.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,
所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。
12.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,
所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。
13.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,
所述第一布线层、所述第二布线层及所述第三布线层为第n层的布线层,
所述第四布线层及所述第五布线层为第n+1层的布线层。
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