[发明专利]制造半导体高压器件的方法

权利要求书

1.一种制造高压半导体器件的方法，包括：

通过在半导体衬底上执行第一光刻处理，形成限定氮化

膜间隔区的第一光刻胶图案；然后

沿着所述第一光刻胶图案蚀刻所述半导体衬底；然后

去除所述第一光刻胶图案；然后

在所述半导体衬底上方沉积蚀刻停止膜；然后

在所述蚀刻停止膜上执行回蚀处理；然后

在包括所述蚀刻停止膜的所述半导体衬底上形成硬质掩模；然后

在所述硬质掩模上执行第二光刻处理，以形成限定栅电极区的第二光刻胶图案；然后

通过使用所述第二光刻胶图案执行干蚀刻处理，图案化所述硬质掩模；然后

通过图案化所述蚀刻停止膜来形成间隔部，以暴露所述半导体衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述第二光刻胶图案的图案宽度与所述第一光刻胶图案的图案宽度相同。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述蚀刻停止膜上执行所述回蚀处理，使得所述蚀刻停止膜的最上表面与所述半导体衬底的最上表面在同一平面上。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述蚀刻停止膜包括氮化膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述间隔部包括：通过在所述蚀刻停止膜上执行图案化处理，在沟槽结构的多晶硅区中形成所述间隔部。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述间隔部包括氮化膜。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成所述间隔部之后：

通过图案化所述半导体衬底形成深沟槽；然后

在所述深沟槽中和所述间隔部的侧壁上形成栅极氧化膜；然后

在所述栅极氧化膜上沉积多晶硅，以填充所述沟槽；然启

通过在所述多晶硅上执行第二回蚀处理，去除部分所述多晶硅；然后

去除所述硬质掩模和部分所述多晶硅。

8.一种制造高压半导体器件的方法，包括：

在所述半导体衬底中形成第一沟槽；然后

在所述半导体衬底上和所述第一沟槽中形成氮化膜；然后

通过在所述氮化膜上执行第一回蚀处理，在所述第一沟槽中形成第一氮化膜图案；然后

在包括所述氮化膜图案的所述半导体衬底上形成第一氧化膜；然后

14.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一沟槽包括：在所述半导体衬底上形成第一光刻胶图案；然后沿着所述第一光刻胶图案在所述半导体衬底上执行蚀刻处理。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述蚀刻处理包括干蚀刻处理。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，去除所述第一氧化膜的残留部分和所述多晶硅层的另一部分包括：

暴露所述间隔部的侧壁。

17.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述氮化膜包括：形成作为蚀刻停止膜的所述氮化膜。

18.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第一氧化膜包括：形成作为硬质掩模的所述第一氧化膜。

19.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述第二氧化膜包括：形成作为栅极氧化膜的所述第二氧化膜。

20.一种高压半导体器件，包括：

半导体衬底，具有形成于其中的深沟槽；

栅极氧化膜，形成在所述深沟槽的侧壁上；

多晶硅层，形成在所述深沟槽中以及所述栅极氧化膜上；以及

间隔部，形成在所述深沟槽的位于所述栅极氧化膜上面的部分处的沟槽侧壁上。