[发明专利]高精度温度补偿型晶体振荡器及其补偿测试方法无效
| 申请号： | 200810126435.5 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101350590A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 吴茜;张威;刘贵枝;杨红永 | 申请（专利权）人： | 廊坊中电大成电子有限公司;天津必利优科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 065001河北省廊坊市经*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高精度 温度 补偿 晶体振荡器 及其 测试 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，包含以下步骤：对振荡器内部IC进行初始值写入。
2.根据权利要求1所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于，还包含以下步骤：根据规格设定在指定温度对IC各寄存器进行数据采集。
3.根据权利要求2所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于，还包含以下步骤：根据规格设定要求及数据采集结果计算IC各寄存器值。
4.根据权利要求3所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于，还包含以下步骤：将计算出的IC各寄存器值写入IC进行温度检测。
5.根据权利要求4所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于：根据测试结果对个别振荡器进行参数微调并写入，同时对合格品及不良品进行分类。
6.根据权利要求3所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于，还包含以下步骤：针对测试结果的不良品进行瞬间二次补偿。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于廊坊中电大成电子有限公司;天津必利优科技发展有限公司，未经廊坊中电大成电子有限公司;天津必利优科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810126435.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：镐形矿用截齿
- 下一篇：超级电容储能控制装置
