[发明专利]衬底支承设备有效
申请号: | 200810126446.3 | 申请日: | 2008-06-27 |
公开(公告)号: | CN101364561A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 孙锡民 | 申请(专利权)人: | 爱德牌工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊;李瑞海 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支承 设备 | ||
1.一种衬底支承设备,包括:
隔开对应于或者超过衬底宽度的距离的第一轴和第二轴;
用以支承所述衬底的线材,所述线材具有结合于所述第一轴和所述第二轴的相应者的端部;以及
传感器,用以检测所述线材中的断裂。
2.如权利要求1所述设备,还包括用于上、下升降所述第一轴和所述第二轴的升降单元。
3.如权利要求1所述的设备,还包括:
在所述线材下方的下电极;以及
在所述下电极的相应侧彼此平行的第一支承件和第二支承件,其中,所述第一轴和所述第二轴分别固定到所述第一支承件和所述第二支承件。
4.如权利要求1所述的设备,还包括:
在所述线材下方的下电极;以及
围绕着所述下电极设置的框架,其中,所述第一轴和所述第二轴被固定到所述框架的相应的面对着的边。
5.如权利要求4所述的设备,其中,所述框架的形状是矩形。
6.如权利要求1所述的设备,还包括:
在所述线材下方的下电极;以及
在所述下电极的相应侧彼此平行的第一支承件和第二支承件,所述第一支承件和所述第二支承件分别具有多个第一组合孔和第二组合孔,其中,所述第一轴被插进所述第一组合孔中的任何一个,并且所述第二轴被插进所述第二组合孔中的任何一个。
7.如权利要求1所述的设备,还包括:
在所述线材下方的下电极,
其中,所述下电极包括沟槽,所述沟槽当所述第一轴和所述第二轴被降下以将所述衬底下降到所述下电极的表面上时接收所述线材。
8.如权利要求1所述的设备,其中,所述线材的外周面是导体。
9.如权利要求1所述的设备,其中,通过在所述线材的一端施加电流并在所述线材的第二端检测所述电流存在或者不存在,所述传感器检测所述线材中的断裂。
10.如权利要求1所述的设备,还包括:
与多个第二轴相隔开的多个第一轴;以及
用以支承所述衬底的多根线材,所述多根线材结合在相应的轴对之间,每对轴包括与所述第二轴中的一个有相对关系的所述第一轴中的一个。
11.如权利要求10所述的设备,其中,所述第一轴与所述第二轴隔开对应于或者超过衬底宽度的距离。
12.如权利要求1所述的设备,其中,所述第一轴和所述第二轴位于使所述线材避免接触所述衬底上的图案的位置。
13.如权利要求12所述的设备,其中,所述第一轴和所述第二轴的位置可以被改变以使所述线材避免接触所述衬底上的图案。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱德牌工程有限公司,未经爱德牌工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810126446.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:固体摄像装置及其制造方法
- 下一篇:组织闭合器和组织闭合装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造