[发明专利]喷嘴基板、液滴喷头及其制造方法、以及液滴喷出装置有效

专利信息
申请号: 200810126670.2 申请日: 2008-06-17
公开(公告)号: CN101327682A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 大谷和史;荒川克治 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: B41J2/14 分类号: B41J2/14;B41J2/16
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;尚志峰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 喷嘴 喷头 及其 制造 方法 以及 喷出 装置
【权利要求书】:

1.一种喷嘴基板,其特征在于,包括:

硅基板;以及

用于喷出液滴的喷嘴孔,

其中,所述喷嘴孔包括:

第一喷嘴部,形成为与所述硅基板的表面垂直;

第二喷嘴部,与所述第一喷嘴部同轴设置,剖面面积形成为大于所述第一喷嘴部;以及

倾斜部,所述倾斜部的剖面面积从所述第一喷嘴部朝向所述第二喷嘴部递增。

2.根据权利要求1所述的喷嘴基板,其特征在于,

所述第二喷嘴部以及所述倾斜部的剖面形状为正方形或长方形。

3.一种喷嘴基板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

在硅基板上通过各向异性干式蚀刻形成喷嘴孔的步骤,其中,所述喷嘴孔包括:与所述硅基板的表面垂直的第一喷嘴部;以及第二喷嘴部,与所述第一喷嘴部同轴,剖面面积大于所述第一喷嘴部,并且该剖面形状为多角形;

在所述喷嘴孔的内壁整个表面上形成保护膜的步骤;

选择性地除去在所述第一喷嘴部和所述第二喷嘴部之间的阶梯部上形成的所述保护膜的步骤;以及

通过各向异性湿式蚀刻形成倾斜部的步骤,其中,所述倾斜部的剖面面积从所述第二喷嘴部朝向所述第一喷嘴部递减。

4.根据权利要求3所述的喷嘴基板的制造方法,其特征在于,

形成于所述阶梯部的所述保护膜的除去是通过各向异性干式蚀刻来实施的。

5.根据权利要求3所述的喷嘴基板的制造方法,其特征在于,

形成于所述喷嘴孔的内壁的所述保护膜是热氧化膜。

6.根据权利要求4所述的喷嘴基板的制造方法,其特征在于,

形成于所述喷嘴孔的内壁的所述保护膜是热氧化膜。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的喷嘴基板的制造方法,其特征在于,

使用表面取向为(100)的单晶硅基板,并在构成所述第二喷嘴部的剖面形状的边中,至少四条边与晶体取向(111)平行。

8.一种液滴喷头,其特征在于,包括:根据权利要求1或2所述的喷嘴基板。

9.一种液滴喷头的制造方法,其特征在于,

应用根据权利要求3至7中任一项所述的喷嘴基板的制造方法制造液滴喷头。

10.一种液滴喷出装置,其特征在于,安装有根据权利要求8所述的液滴喷头。

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