[发明专利]抗反射性聚合物、抗反射性组成物及形成图案的方法

权利要求书

1.一种重复单元由化学式1构成的聚合物：

[化学式1]

其中R₁与R₂独立地为氢或甲基，

R₃为C₁～C₄烷基，

m与n各为范围在0至4的整数，

a与b为分别表示重复单元a与重复单元b的自然数，

其中，重复单元a与重复单元b的相对重量比为1∶(1.5～3)，

化学式1所构成的重复单元具有在1,000至100,000的范围内的 平均分子量。

2.根据权利要求1所述的聚合物，其中，

化学式1所示的聚合物由化学式1a表示：

[化学式1a]

3.一种抗反射性组成物，包括：

根据权利要求1所述的聚合物、能吸收光的基础树脂、热产酸 剂、以及有机溶剂。

4.根据权利要求3所述的抗反射性组成物，其中，

能吸收光的基础树脂是聚乙烯基苯酚。

5.根据权利要求3所述的抗反射性组成物，其中，

热产酸剂是对甲苯磺酸2-羟基环己酯。

6.根据权利要求3所述的抗反射性组成物，其中，

有机溶剂选自下述群组，所述群组包括：3-甲氧基丙酸甲酯 (MMP)、3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)、丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、 环己酮、及其组合。

7.根据权利要求3所述的抗反射性组成物，其中，

以所述聚合物为100重量份计，基础树脂的量在10至200重量 份的范围内，热产酸剂的量在5至50重量份的范围内，有机溶剂的 量在1,000至100,000重量份的范围内。

8.一种形成半导体器件的图案的方法，包括：

在底层上涂布根据权利要求3所述的抗反射性组成物；

烘烤抗反射性组成物涂层以形成抗反射膜；以及

在所述抗反射膜上形成光阻图案。

9.根据权利要求8所述的方法，包括：

借助于ArF浸没式光刻法形成所述光阻图案。

10.一种半导体器件，其由包括根据权利要求8所述的图案形 成方法在内的方法制造而成。