[发明专利]单晶衬底及其切割方法有效
申请号: | 200810126935.9 | 申请日: | 2003-06-25 |
公开(公告)号: | CN101330280A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 瓦连京·切列德尼克;德弗舍尔斯托夫·米哈伊尔;崔用林 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜有;王春伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 及其 切割 方法 | ||
1. 一种单晶衬底,包括:
具有SAW传播表面的石英衬底;和
在所述表面上具有用来发射和/或检测表面声波的电极的输入和输出IDT,其中表面波的传播方向平行于X’轴,并且该衬底还具有垂直于所述表面的Z’轴和平行于该表面且垂直于X’轴的Y’轴,所述的石英衬底具有由修正轴X、Y和Z所限定的晶体取向,轴X’、Y’和Z’的相对取向由欧拉角φ、θ和ψ限定,其中φ的范围为-5°≤φ≤+5°,θ的范围为60°≤θ≤80°,ψ的范围为-5°≤ψ≤+5°,或其中φ是0°,θ的范围为17°≤θ≤23°,ψ的范围为10°≤ψ≤20°。
2. 权利要求1的单晶衬底,其中石英的最优欧拉角为φ=0°,θ=70.5°和ψ=0°。
3. 权利要求1的单晶衬底,其中石英的最优欧拉角为φ=0°,θ=20°和ψ=13.7°。
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