[发明专利]半导体制造装置有效
申请号: | 200810127241.7 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN101348904A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 林有东;朴载皓 | 申请(专利权)人: | TTS股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46;C23C16/52;H01L21/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 许静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
1.一种半导体制造装置,其包含:
一基座主体;
一循环型冷却管,其用于循环冷却空气,其具有一用于从一外部供应 装置将冷却空气供应到一基座主体的入口,和一用于将来自所述入口而在 所述整个基座主体中循环的所述冷却空气排出的出口;以及
一加热器,其用于加热所述主体以保持液晶显示器的温度,
其中所述加热器安置在所述主体的最低部通过一第一罩盖而不会接触 到所述冷却管,
其中所述冷却管安置在用于覆盖所述加热器的所述第一罩盖的上部, 且经安置以顺应所述加热器的位置,
其中所述冷却管经安置以由一第二罩盖覆盖,
其中所述第二罩盖经安置而在其上具有一第三盖罩,用以防止在所述 冷却管中循环的所述冷却空气由于所述加热器的操作而快速上升。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述冷却管并不限制其外部形状 和用于流动冷却空气的线路,且其中所述冷却空气是从氦气和Galden的物 质的其中之一选择。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述基座不包含所述冷却管,所 述冷却空气直接在所述第二罩盖中循环。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的