[发明专利]半导体模块的制造方法、半导体模块及便携设备有效

专利信息
申请号: 200810127747.8 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101303990A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 冈山芳央;柳瀬康行 申请(专利权)人: 三洋电机株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 制造 方法 便携 设备
【权利要求书】:

1.一种半导体模块的制造方法,其特征在于:包括

第一工序,准备在表面设置半导体元件、与该半导体元件电连接的电极和规定的第一图案部的基板;

第二工序,准备具有第一主面及其相反侧的第二主面,并且包括从所述第一主面突出设置的突起部和在所述第二主面设置的规定图案的沟部的金属板;

第三工序,通过调整金属板的位置使所述第一图案部和与其对应的沟部具有规定位置关系来进行所述突起部和所述电极的定位,然后经绝缘层压接所述金属板的所述第一主面侧和所述基板,在所述突起部贯通所述绝缘层的状态下,电连接所述突起部和所述电极;

第四工序,在所述金属板的所述第二主面侧形成规定图案的布线层。

2.根据权利要求1所述的半导体模块制造方法,其特征在于:

所述第四工序通过深蚀刻所述金属板的所述第二主面侧并使所述沟部的底部贯通至所述第一主面,而将所述金属板加工成规定图案的布线层。

3.根据权利要求2所述的半导体模块制造方法,其特征在于:

所述第四工序将所述金属板加工成使所述布线层的侧面和与所述布线层的所述绝缘层相反侧的主面之间的区域呈R形状的倒角形状。

4.根据权利要求1所述的半导体模块制造方法,其特征在于:

所述第二工序包括:在平板状金属板的一面形成所述突起部的第一步骤;和以所述突起部的规定的第二图案部为基准,在所述平板状金属板的另一面形成所述沟部的第二步骤。

5.根据权利要求1所述的半导体模块制造方法,其特征在于:

在所述基板上形成多个所述半导体元件;

在用于分隔多个所述半导体元件之间而被设置的划线区域中形成所述沟部。

6.根据权利要求4所述的半导体模块制造方法,其特征在于:

所述第三工序将所述金属板的所述第一主面侧和所述基板加热的同时进行压接;所述第一步骤根据所述金属板的线膨胀系数和所述基板的线膨胀系数之差、所述第三工序的加热温度、距因所述第三工序的加热引起的膨胀而不移动的所述金属板的基准点的距离,在从与所述电极相向的位置向与所述金属板的膨胀方向相反侧错位的位置形成所述突起部。

7.一种半导体模块,其特征在于:具有

设有突起部的布线层;

在表面设有半导体元件和与该半导体元件电连接并且与所述突起部对应地配置的电极的基板;

在所述布线层和所述基板之间设置的绝缘层;

在所述突起部贯通所述绝缘层的状态下,电连接所述突起部和所述电极;

所述布线层的侧面和与所述布线层的所述绝缘层相反侧的主面之间的区域呈R形状的倒角形状。

8.一种便携设备,其特征在于:

搭载权利要求7所述的半导体模块。

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