[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200810127815.0 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101335283A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 朴珍皞 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L21/82;G02B3/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器,包括:
在像素区域的衬底上形成的层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上彼此隔开的多个第一微透镜;以及
在所述第一微透镜之间形成的多个第二微透镜,所述多个第二微透镜具有不同于所述第一微透镜的直径。
2.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述第二微透镜具有比所述第一微透镜的直径更大的直径。
3.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述第一微透镜在第一像素区域和与所述第一像素区域成对角线定位的第二像素区域上形成。
4.根据权利要求3所述的传感器,其中,所述第二微透镜在除了所述第一和第二像素区域以外的第三像素区域上形成。
5.根据权利要求1所述的传感器,其中,所述第一微透镜在第一像素区域和不定位在所述第一像素区域的上部和下部以及左边和右边的第二像素区域上形成。
6.根据权利要求5所述的传感器,其中,所述第二微透镜在除了所述第一和第二像素区域以外的第三像素区域上形成。
7.根据权利要求1所述的传感器,进一步包括在对应于所述第一和第二微透镜的位置上的多个滤色片层。
8.根据权利要求7所述的传感器,其中,所述第一微透镜在对应于所述多个滤色片层中的绿色滤色片的像素区域的位置上形成。
9.根据权利要求7所述的传感器,其中,所述第二微透镜各自在对应于所述多个滤色片层中的红色滤色片的像素区域和蓝色滤色片的像素区域的位置上形成。
10.根据权利要求7所述的传感器,其中,所述第一微透镜在对应于所述多个滤色片层中的红色滤色片的像素区域和蓝色滤色片的像素区域的位置上形成。
11.根据权利要求7所述的传感器,其中,所述第二微透镜在对应于所述多个滤色片层中的绿色滤色片的像素区域的位置上形成。
12.一种制造图像传感器的方法,包括:
在像素区域的衬底上形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上形成多个彼此隔开的第一微透镜;以及
在所述多个第一微透镜之间形成第二微透镜,并且所述第二微透镜具有不同于所述第一微透镜的直径。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第二微透镜具有比所述第一微透镜的直径更大的直径。
14.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一微透镜在第一像素区域和与所述第一像素区域成对角线定位的第二像素区域上形成。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述第二微透镜在除了所述第一和第二像素区域以外的第三像素区域上形成。
16.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一微透镜在第一像素区域和不定位在所述第一像素区域的上部和下部以及左边和右边的第二像素区域上形成。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第二微透镜在除了所述第一和第二像素区域以外的第三像素区域上形成。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述形成所述第二微透镜包括:
在所述第三像素区域上形成第二微透镜图案;以及
通过所述第二微透镜图案的回流,形成所述第二微透镜。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第二微透镜在与所述第一和第二像素区域的上部和下部以及右边和左边相邻的第三像素区域上形成。
20.根据权利要求12所述的方法,其中,所述第一微透镜在与所述多个滤色片层中的绿色滤色片的像素区域相对应的位置上形成,而所述第二微透镜在与所述多个滤色片层中的红色滤色片的像素区域和蓝色滤色片的像素区域相对应的位置上形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的