[发明专利]控制UV照射以固化半导体衬底的方法有效
申请号: | 200810128021.6 | 申请日: | 2008-07-09 |
公开(公告)号: | CN101350293A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
发明(设计)人: | 松下清广;加加美健一 | 申请(专利权)人: | ASM日本子公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3105;H01L21/312 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民;路小龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 uv 照射 固化 半导体 衬底 方法 | ||
1.控制UV照射以固化半导体衬底的方法,其包括:
使UV光穿过室中提供的透射玻璃窗,以固化所述室内放置的半 导体衬底;
监测所述透射玻璃窗之前的照度和所述透射玻璃窗之后的照度, 以监测所述透射玻璃窗的UV光透射率;和
基于监测的所述透射玻璃窗的UV光透射率,确定所述透射玻璃 窗清洁的时间和/或持续时间、更换所述透射玻璃窗的时间、更换UV 灯的时间和/或所述UV光的输出。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述监测步骤包括由提供在所述 透射玻璃窗之前的照度计测量所述透射玻璃窗之前的照度和由提供在 所述透射玻璃窗之后的照度计测量所述透射玻璃窗之后的照度,由此 获得所述UV光的透射率。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述UV光穿过步骤和监测步骤 可以至少在选自下述的一种时间进行:固化所述半导体衬底开始时、 固化所述半导体衬底结束时、清洁所述透射玻璃窗开始时以及清洁所 述透射玻璃窗结束时。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述UV光穿过步骤和监测步骤 在不同的半导体衬底被装载入所述室中之后重复。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述确定步骤包括比较在各监测 步骤中在所述透射玻璃窗之后监测的照度,由此确定更换所述透射玻 璃窗的时间。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述确定步骤包括比较在各监测 步骤中监测的照度,由此确定清洁所述透射玻璃窗的时间。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述UV光穿过步骤和监测步骤 在清洁过程中连续地进行,由此确定所述清洁的终点。
8.根据权利要求3所述的方法,其中所述确定步骤包括确定所述UV 光的输出,并且所述方法进一步包括基于确定的所述UV光的输出增 加所述UV光的输出,以维持穿过所述透射玻璃窗的所述UV光的照 度。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述确定步骤包括:通过设置开 始清洁的照度阈值,并将监测的所述透射玻璃窗之后的照度与所述照 度阈值比较,确定清洁的时间。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述UV光具有170nm到300nm 的波长。
11.控制UV照射以固化半导体衬底的方法,其包括:
使UV光穿过室中提供的透射玻璃窗,以固化所述室内放置的半 导体衬底;
监测所述透射玻璃窗之前的照度和所述透射玻璃窗之后的照度; 和
基于监测的照度,确定所述透射玻璃窗清洁的时间和/或持续时间、 更换所述透射玻璃窗的时间、更换UV灯的时间和/或所述UV光的输 出,
其中所述UV光穿过步骤和监测步骤可以至少在选自下述的一种 时间进行:固化所述半导体衬底开始时、固化所述半导体衬底结束时、 清洁所述透射玻璃窗开始时以及清洁所述透射玻璃窗结束时,
其中所述确定步骤包括:
将所述透射玻璃窗之后的照度与第一参考值比较;
将所述透射玻璃窗之前的照度与第二参考值比较;
如果所述透射玻璃窗之后的照度等于或者低于所述第一参考值, 并且所述透射玻璃窗之前的照度不等于或者不低于所述第二参考值, 则确定开始进行所述透射玻璃窗的清洁;和
如果所述透射玻璃窗之前的照度等于或者低于所述第二参考值, 则确定更换所述UV灯。
12.根据权利要求11所述的方法,其中当开始所述清洁时,所述UV 光穿过步骤和监测步骤在所述清洁过程中重复,并且所述确定步骤可 以进一步包括:
将监测的所述透射玻璃窗之后的照度与第三参考值比较;和
如果所述透射玻璃窗之后的照度等于或者高于所述第三参考值, 则确定结束所述透射玻璃窗的清洁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造