[发明专利]信号线驱动电路、发光装置及其驱动方法有效
申请号: | 200810128378.4 | 申请日: | 2002-10-30 |
公开(公告)号: | CN101325030A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 木村肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G09G3/30 | 分类号: | G09G3/30;G09G3/32;G09G3/20;H05B33/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信号线 驱动 电路 发光 装置 及其 方法 | ||
1.一种显示设备,包括:
在基板上包括多个像素的像素部;以及
在所述基板上包括多个电流源电路的信号线驱动电路,
其中,所述多个电流源电路中的每个包括具有m个薄膜晶体管的电流反射镜电路,
其中,所述m个薄膜晶体管中每个薄膜晶体管的源极区与漏极区中之一连接到所述每个电流源电路中一个对应晶体管的源极区与漏极区中之一,且所述一个对应晶体管的源极区与漏极区中另一个连接到信号线,以及
其中,所述多个电流源电路中的每个将电流线所供给的电流变换为电压,并将与所述所变换电压对应的电流供给所述信号线。
2.一种显示设备,它包括:
在基板上包括多个像素的像素部;以及
在所述基板上包括多个电流源电路的信号线驱动电路,
其中,所述多个电流源电路中的每个包括具有m个薄膜晶体管的电流反射镜电路,
其中,所述m个薄膜晶体管的沟宽/沟长比设定为20∶21∶···∶2m,
其中,所述m个薄膜晶体管中每个薄膜晶体管的源极区与漏极区中之一连接到所述每个电流源电路中一个对应晶体管的源极区与漏极区中之一,且所述一个对应晶体管的源极区与漏极区中另一个连接到信号线,以及
其中,所述多个电流源电路中的每个将电流线所供给的电流变换为电压,并将与所述所变换电压对应的电流供给所述信号线。
3.一种显示设备,它包括:
在基板上包括多个像素的像素部;以及
在所述基板上包括多个电流源电路的信号线驱动电路,
其中,所述多个电流源电路中的每个包括具有m个薄膜晶体管的电流反射镜电路,
其中,所述m个薄膜晶体管中每个薄膜晶体管的源极区与漏极区中之一连接到所述每个电流源电路中一个对应晶体管的源极区与漏极区中之一,且所述一个对应晶体管的源极区与漏极区中另一个连接到信号线,
其中,所述多个电流源电路中的每个将电流线所供给的电流变换为电压,并将与所述所变换电压对应的电流供给所述信号线,以及
其中,视频信号控制是否将所述电流供给所述像素部。
4.一种显示设备,它包括:
在基板上包括多个像素的像素部;以及
在所述基板上包括多个电流源电路的信号线驱动电路,其中所述多个电流源电路中的每个将电流供给所述像素部,并包括具有m个薄膜晶体管的电流反射镜电路,
其中,所述m个薄膜晶体管的沟宽/沟长比设定为20∶21∶···∶2m,
其中,所述m个薄膜晶体管中每个薄膜晶体管的源极区与漏极区中之一连接到所述每个电流源电路中一个对应晶体管的源极区与漏极区中之一,且所述一个对应晶体管的源极区与漏极区中另一个连接到信号线,
其中,所述多个电流源电路中的每个将电流线所供给的电流变换为电压,并将与所述所变换电压对应的电流供给所述信号线,以及
其中,视频信号控制是否将所述电流供给所述像素部。
5.如权利要求1-4中任一项所述的显示设备,其中所述信号线驱动电路还包括移位寄存器和闩锁电路。
6.如权利要求1-4中任一项所述的显示设备,其中所述信号线驱动电路受设定信号控制。
7.如权利要求1-4中任一项所述的显示设备,其中所述信号线驱动电路还包括用于保持所述m个薄膜晶体管的栅源极间电压的电容单元。
8.如权利要求1-4中任一项所述的显示设备,其中m为3。
9.如权利要求1-4中任一项所述的显示设备,其中所述显示设备是一种发光装置。
10.如权利要求1-4中任一项所述的显示设备,其中,从以下一组中选出的至少一个装有所述显示设备,这一组包括:个人计算机、摄像机、数码相机、眼镜型显示器、移动电话。
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