[发明专利]具自对准电极结构的功能性阵列元件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有自对准电极结构的功能性阵列元件，包括：

透明基板；

图案化阵列式第一下电极设置于该透明基板上；

图案化绝缘层设置于该透明基板和该第一下电极上，露出一部分的该第一下电极；

图案化的第二下电极设置于该绝缘层上，且图案化的第二下电极的内缘与该第一下电极的边缘重叠；

间隙壁结构设置于该绝缘层上，且自对准地形成于该第一下电极和该第二下电极的遮盖区域之外；

功能性结构层设置于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中；

图案化上电极设置于该功能结构层上，位于对应该像素阵列区域，以及

保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该具有自对准电极结构的功能性阵列元件。

2.如权利要求1所述的具有自对准电极结构的功能性阵列元件，其中该第一下电极于各像素区域为圆形，沿第一方向串连，延伸至周边区域为接触垫。

3.如权利要求1所述的具有自对准电极结构的功能性阵列元件，其中该图案化的第二下电极具有环形图纹，沿第二方向串连，延伸至周边区域为接触垫。

4.一种具有自对准电极结构的功能性阵列元件的制造方法，包括：

提供透明基板；

形成图案化阵列式第一下电极设置于该透明基板上；

形成图案化绝缘层设置于该透明基板和该第一下电极上，露出一部分的第一下电极；

形成图案化的第二下电极设置于该绝缘层上，且图案化的第二下电极的内缘与该第一下电极的边缘重叠；

涂布厚膜负型光致抗蚀剂于该透明基板上，覆盖该图案化阵列式第一下电极和该第二下电极；

以该图案化阵列式第一下电极和该第二下电极为掩模，自该透明基板背 面提供曝光源，经过后烘烤及显影后，在无电极的区域留下光致抗蚀剂，以定义间隙壁结构，自对准于该图案化阵列式第一下电极和该第二下电极之间的间隙；

形成功能性结构层于该间隙壁结构所定义的像素阵列区域中；

形成图案化上电极设置于该功能性结构层上，位于对应该像素阵列区域，以及

形成保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该具有自对准电极结构的功能性阵列元件。

5.一种具有自对准电极结构的功能性阵列元件的制造方法，包括：

提供透明基板；

形成图案化阵列式下电极于该透明基板上；

涂布厚膜负型光致抗蚀剂于该透明基板上，覆盖该图案化阵列式下电极；

以该图案化阵列式下电极为掩模，自该透明基板背面提供曝光源，经过后烘烤及显影后，在无电极的区域留下光致抗蚀剂，以定义间隙壁结构于该图案化阵列式下电极之间的间隙，且与该图案化阵列式下电极自对准；

形成牺牲层于该间隙壁结构及该图案化阵列式下电极上；

形成压阻胶体层于该牺牲层以及该间隙壁结构上；

形成图案化上电极于该压阻胶体层上，位于对应由间隙壁结构定义的像素阵列区域；

移除该牺牲层；以及

形成保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该功能性阵列元件。

6.如权利要求5所述的具有自对准电极结构的功能性阵列元件的制造方法，还包括形成额外的压阻胶体层于该图案化阵列式下电极上。

7.一种具有自对准电极结构的功能性阵列元件的制造方法，包括：

提供透明基板；

形成图案化阵列式下电极于该透明基板上；

涂布厚膜负型光致抗蚀剂于该透明基板上，覆盖该图案化阵列式下电极；

以该图案化阵列式下电极为掩模，自该透明基板背面提供曝光源，经过后烘烤及显影后，在无电极的区域留下光致抗蚀剂，以定义间隙壁结构于该图案化阵列式下电极之间的间隙，且与该图案化阵列式下电极自对准； 

形成压阻胶体层于该图案化阵列式下电极上；

形成牺牲层于该间隙壁结构及该压阻胶体层上；

形成图案化上电极于该牺牲层以及该间隙壁结构上，位于对应由间隙壁结构定义的像素阵列区域；

移除该牺牲层；以及

形成保护层设置于该图案化上电极上，覆盖该功能性阵列元件。