[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，在存储器单元中，在阱中形成第1扩散区域、第2扩散区域以及第3扩散区域，在所述第1扩散区域和所述第2扩散区域之间的沟道上经由选择栅绝缘膜形成选择栅，在所述第2扩散区域和所述第3扩散区域之间的沟道上经由浮栅绝缘膜形成浮栅，其特征在于，

所述浮栅绝缘膜的膜厚构成为比所述选择栅绝缘膜的膜厚厚。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，

在所述存储器单元的周边配置的周边电路中，在阱中形成有第4扩散区域和第5扩散区域，所述第4扩散区域和第5扩散区域之间的沟道上经由周边电路栅极绝缘膜形成有周边电路栅极，

所述存储器单元和所述周边电路的各阱的不纯物浓度相同。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，

所述选择栅绝缘膜的膜厚与所述周边电路栅极绝缘膜的膜厚相等。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，

所述存储器单元的阱为N型阱，

所述第1扩散区域、所述第2扩散区域以及所述第3扩散区域为P型扩散区域。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，

所述周边电路的阱为N型阱，

所述第4扩散区域以及所述第5扩散区域为P型扩散区域。

6.一种非易失性存储器的制造方法，其特征在于，

该方法包括：

在基板上形成阱形成用的贯通绝缘膜的工序；

通过离子注入在所述基板上形成阱的工序；

除去至少存储器单元中的存储器晶体管形成区域以外的区域的所述贯通绝缘膜的工序；

至少在所述存储器单元中的选择晶体管形成区域的所述阱上形成膜厚比所述贯通绝缘膜的膜厚薄的绝缘膜的工序。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，

在形成所述阱时，同时形成所述存储器单元和周边电路的各阱。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器的制造方法，其特征在于，

在形成所述薄的绝缘膜时，在所述周边电路的阱上也形成膜厚比所述贯通绝缘膜的膜厚薄的绝缘膜。

9.一种非易失性存储器的工作方法，该非易失性存储器在存储器单元中，在阱中形成第1扩散区域、第2扩散区域以及第3扩散区域，在所述第1扩散区域和所述第2扩散区域之间的沟道上经由选择栅绝缘膜形成选择栅，在所述第2扩散区域和所述第3扩散区域之间的沟道上经由浮栅绝缘膜形成浮栅，该工作方法的特征在于，

包括准备构成为所述浮栅绝缘膜的膜厚比所述选择栅绝缘膜的膜厚厚的非易失性存储器的工序，

从所述第1扩散区域及所述阱向所述选择栅施加第1电压，此时所述第3扩散区域维持与所述选择栅相同的第2电压，由此进行向存储器单元的写入。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器的工作方法，其特征在于，

将比所述第1电压低的第3电压施加到所述阱及所述第1扩散区域，将比第3电压低的第4电压施加到所述第3扩散区域，进而将比第4电压低的第5电压施加到所述选择栅，由此进行从所述存储器单元的读出。