[发明专利]炉内气氛活化方法及其装置有效
申请号: | 200810128763.9 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101307422A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | Z·朱雷基;R·E·小诺尔;J·L·格伦 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | C23C8/00 | 分类号: | C23C8/00;B23K3/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘锴;李炳爱 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 气氛 活化 方法 及其 装置 | ||
1.一种与用于渗碳、渗氮、碳氮共渗、渗碳氮化、渗硼、非氧化退火或氧化还原气氛,用于硬钎焊、软钎焊和烧结的还原性气氛、用于相变合金的中性热处理的碳势气氛、固溶化、时效、球化处理、硬化、应力消除处理、正火或惰性退火的受控气氛反应器共同使用的活化气体喷射器,该受控气氛反应器具有反应器室,所述活化气体喷射器包括:
限定了活化室的壳体,该活化室具有出口;
适合于与第一气体供给源连接的第一进气口并且通过该进气口将第一气体引入活化室内;
延伸到活化室并且终止在活化室内的第一电极;
连接到第一电极的电源,当通电时提供平均电压输出至少1KV和平均电流输出少于10A;和
暴露于活化室中并且相对于第一电极设置为地电位的第二电极;
其中设置第一和第二电极以使得当所述电源通电时在第一电极和第二电极之间发生放电,所述放电发生的区域定义为放电区;
其中活化室、第一电极、第二电极和第一进气口的设置使得第一气体在通过出口离开所述活化室之前通过放电区;和
其中所述电源包括非脉冲功率电源。
2.如权利要求1所述的活化气体喷射器,其中当电源通电时在第一和第二电极之间形成电场,所述电场具有在1kV/cm到100kV/cm之间的强度。
3.如权利要求1所述的活化气体喷射器,其中第二电极包括壳体。
4.如权利要求1所述的活化气体喷射器,其中活化室适合于在与反应器室相同的温度下操作而不使用冷却系统。
5.如权利要求1所述的活化气体喷射器,其中活化室和第一进气口设置是,当第一气体通过第一进气口被引入活化室时,使第一气体从第一进气口到出口形成涡流或旋流。
6.如权利要求1所述的活化气体喷射器,其中活化室具有一个圆柱形的部分并且第一进气口是成切线连接到圆柱形部分的。
7.如权利要求1所述的活化气体喷射器,更进一步的包括一个位于活化室内的涡流片。
8.一个用于渗碳、渗氮、碳氮共渗、渗碳氮化、渗硼、非氧化退火或氧化还原气氛,用于硬钎焊、软钎焊和烧结的还原性气氛、用于相变合金的中性热处理的碳势气氛、固溶化、时效、球化处理、硬化、应力消除处理、正火或惰性退火的受控-气氛反应器系统包括:
一个用于容纳待处理工件的反应器室,所述反应器室具有一个排气口;
至少一个热源,所述至少一个热源是能够用来集中升高反应器室到至少90摄氏度的温度;和至少一个气体喷射器,每个至少一个气体喷射器包括:
限定一活化室的壳体,该活化室具有与反应器室具有流量关联的出口;
适合于与第一气体供给源连接的第一进气口并且该进气口设置用来将第一气体引入活化室内;
延伸到活化室并且终止在活化室内的第一电极;
连接到第一电极的电源,当通电时提供输出至少1KV的平均电压和输出少于10A的平均电流;和
暴露于活化室中并且相对于第一电极设置为地电位的第二电极;
其中设置第一和第二电极以使得当所述电源通电时在所述第一电极和第二电极之间发生放电,所述放电发生的区域定义为放电区;
其中所述活化室、第一电极、第二电极和第一进气口的设置使得第一气体在通过出口离开活化室之前通过放电区;和
其中所述电源包括非脉冲功率电源。
9.如权利要求8所述的受控-气氛反应器系统,其中第二电极包括壳体。
10.如权利要求8所述的受控-气氛反应器系统,其中当电源通电时在第一和第二电极之间形成电场,所述电场具有在1kV/cm到100kV/cm之间的强度。
11.如权利要求8所述的受控-气氛反应器系统,其中活化室被设计成与反应器室相同的温度下操作而没有使用冷却系统。
12.如权利要求8所述的受控气氛反应器系统,其中当至少一个放电活化器工作时反应器室保持至少1毫巴的压力。
13.如权利要求8所述的受控-气氛反应器系统,其中活化室至少部分位于反应器室内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于气体产品与化学公司,未经气体产品与化学公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810128763.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微型影像稳定装置
- 下一篇:半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类