[发明专利]电力变换装置无效

专利信息
申请号: 200810128863.1 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101335483A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 重田哲;藤野伸一;能登康雄 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电力 变换 装置
【权利要求书】:

1.一种电力变换装置,其具有:

开关元件,其根据施加在控制电极的电压,在从第2电极朝向第1电极的方向上流过主电流;

电压切换电路,其控制施加在所述控制电极上的所述电压;和

导通切换电路,其连接在所述第2电极和所述控制电极之间。

2.根据权利要求1所述的电力变换装置,其特征在于,

在所述电压切换电路按照使所述开关元件断开的方式动作时,所述导通切换电路根据所述第2电极和所述第1电极间的第1电位差、以及所述控制电极和所述第1电极间的第2电位差进行导通控制。

3.根据权利要求2所述的电力变换装置,其特征在于,

所述导通切换电路在所述第1电位差小于所述第2电位差的情况下,进行导通控制。

4.根据权利要求3所述的电力变换装置,其特征在于,

所述导通切换电路在所述第1电位差大于所述第2电位差的情况下,进行非导通控制。

5.根据权利要求2所述的电力变换装置,其特征在于,

所述导通切换电路具有MOSFET以及至少一个二极管。

6.根据权利要求5所述的电力变换装置,其特征在于,

所述导通切换电路的MOSFET是P型MOSFET;

所述P型MOSFET的源电极连接在所述开关元件的所述控制电极;

所述P型MOSFET的漏电极连接在所述二极管的阳极;

所述二极管的阴极连接在所述开关元件的所述第2电极;

所述P型MOSFET的栅电极连接在所述电压切换电路。

7.根据权利要求6所述的电力变换装置,其特征在于,

所述至少一个二极管是齐纳二极管。

8.根据权利要求6所述的电力变换装置,其特征在于,

所述二极管具有相互串联连接的多个齐纳二极管、和与该多个齐纳二极管并联连接的旁路用二极管。

9.根据权利要求8所述的电力变换装置,其特征在于,

所述旁路用二极管的逆向耐压被设定为大于串联连接的所述多个齐纳二极管的齐纳电压总和。

10.根据权利要求5所述的电力变换装置,其特征在于,

所述导通切换电路的MOSFET是N型MOSFET;

所述N型MOSFET的漏电极连接在所述开关元件的所述控制电极;

所述N型MOSFET的源电极连接在所述二极管的阳极;

所述二极管的阴极连接在所述开关元件的所述第2电极;

所述N型MOSFET的栅电极由从控制电路输出的断开指令信号驱动。

11.一种电力变换装置,其具有:

用于将直流电变换成交流电的上支路开关元件以及与该上支路开关元件串联连接的下支路开关元件;

为了供给所述直流电,连接于串联连接的所述上支路开关元件和所述下支路开关元件之间的蓄电池;

平滑电容器,其与所述蓄电池并联连接;

控制器,其用于控制所述上支路开关元件和所述下支路开关元件;

第1电压切换电路,其根据所述控制器输出的第1信号,生成施加在所述上支路开关元件的控制电极上的电压;

第2电压切换电路,其根据所述控制器输出的第2信号,生成施加在所述下支路开关元件的控制电极上的电压;

第1导通切换电路,其连接在所述上支路开关元件的第2电极和控制电极之间;和

第2导通切换电路,其连接在所述下支路开关元件的第2电极和控制电极之间。

12.根据权利要求11所述的电力变换装置,其特征在于,

在所述控制器输出用于使所述上支路开关元件断开的信号时,所述第1导通切换电路根据所述上支路开关元件的所述第2电极和第1电极间的第1电位差、以及所述控制电极和所述第1电极间的第2电位差进行导通控制;

在所述控制器输出用于使所述下支路开关元件断开的信号时,所述第2导通切换电路根据所述下支路开关元件的所述第2电极和第1电极间的第1电位差、以及所述控制电极和所述第1电极间的第2电位差进行导通控制。

13.根据权利要求12所述的电力变换装置,其特征在于,

所述第1导通切换电路在所述上支路开关元件中的所述第1电位差小于所述第2电位差时进行导通控制;

所述第2导通切换电路在所述下支路开关元件中的所述第1电位差小于所述第2电位差时进行导通控制。

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