[发明专利]等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法

权利要求书

1.一种等离子体加工设备的部件，所述的部件包括：

至少一个具有第一算术平均粗糙度R_a的暴露到等离子体中的石英 玻璃表面；以及

至少一个有不同于第一算术平均粗糙度R_a的第二算术平均粗糙度 R_a的真空密封石英玻璃表面。

2.根据权利要求1的部件，其中暴露到等离子体中的石英玻璃表 面和真空密封石英表面的材料选自火焰熔融的天然石英、电弧熔融的 天然石英和合成石英。

3.根据权利要求1的部件，其中暴露到等离子体中的石英玻璃表 面具有(i)算术平均粗糙度R_a为约1-100微英寸和(ii)实际表面积/标 称表面积比为约1.1-4或约1.2-1.5。

4.根据权利要求1的部件，其中暴露到等离子体中的石英玻璃表 面具有的至少一种选自Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、Li、Mg、Ni、K、Na、 Ti和Zn的金属的水平小于约1000×10¹⁰原子/厘米²、或小于约100 ×10¹⁰原子/厘米²、或小于约10×10¹⁰原子/厘米²。

5.根据权利要求1的部件，其中：

所述的部件为介电窗；

暴露到等离子体中的石英玻璃表面具有(i)算术平均粗糙度R_a为 约5-20微英寸或约12-20微英寸，(ii)实际表面积/标称表面积的比 为约1.1-4或约1.2-1.5以及(iii)特征长度为约2-30微米或约5-20 微米中至少一个；以及

真空密封石英玻璃表面具有(i)算术平均粗糙度R_a为约10-20微 英寸和(ii)特征长度为约5-25微米中至少一个。

6.根据权利要求1的部件，其中：

所述的部件为气体注入器；

暴露到等离子体中的石英玻璃表面有算术平均粗糙度R_a为约 1-100微英寸或约40-60微英寸；以及

真空密封石英玻璃表面具有算术平均粗糙度R_a为约12-20微英 寸。

7.一种在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法，所述的方 法包括：

将权利要求1的部件安装在等离子体加工设备的等离子体室中； 以及

在等离子体加工设备中等离子体刻蚀至少一个半导体基材。

8.根据权利要求7的方法，其中还包括在等离子体刻蚀半导体基 材以前将部件等离子体调整小于约1/2小时。