[发明专利]发光元件有效
申请号: | 200810129294.2 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN101621096A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 徐大正;蔡孟伦 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件,包含
一发光叠层,该发光叠层包含:
发光层,该发光层为磷化铝铟镓的多重量子阱结构;
第一导电型局限层,位于该发光层上;
第二导电型局限层,位于该发光层下,
其中该第一导电型局限层的厚度不等于该第二导电型局限层的厚度,该 发光层所产生的光线的光强度沿该外延结构生长方向分布变化,其中最大光 强度位于发光层以外的区域。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中该光强度分布变化包含峰值区域, 且该峰值区域的光强度大于该最大光强度的百分之九十。
3.如权利要求1所述的发光元件,还包含基板,位于该外延结构下。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中该外延结构还包含:
第一导电型包覆层与第二导电型包覆层,分别位于该第一导电型局限层 上与该第二导电型局限层下。
5.如权利要求4所述的发光元件,其中该发光层具有第一折射率n1;该 第一导电型局限层与该第二导电型局限层具有第二折射率n2;该第一导电型 包覆层与该第二导电型包覆层具有第三折射率n3;其中,该第一折射率n1、 该第二折射率n2以及该第三折射率n3满足n1>n2>n3的关系。
6.如权利要求4所述的发光元件,其中该第一导电型局限层厚度与该第 二导电型局限层厚度比约为2至200或1/2至1/200。
7.如权利要求4所述的发光元件,其中该外延结构还包含第一导电型窗 户层与第二窗户层,分别位于该第一导电型包覆层上与该第二导电型包覆层 下,其中该第一导电型窗户层的出光面与该第二导电型窗户层的下表面为粗 化表面。
8.如权利要求1所述的发光元件,其中该发光层的光局限因子小于百分 之六十。
9.一种发光元件,至少包含
一发光叠层,包含:
发光层;
第一导电型局限层位于该发光层上;
第二导电型局限层位于该发光层下,该第一导电型局限层厚度不等 于该第二导电型局限层厚度;
第一导电型包覆层,位于该第一导电型局限层上,
其中该发光层具有第一折射率n1;该第一导电型局限层具有第二折射率 n2;以及该第一导电型包覆层具有第三折射率n3,其中该第一折射率n1、该 第二折射率n2以及该第三折射率n3满足n1>n2>n3的关系,其中该发光层所 产生的光线的最大光强度位于发光层以外的区域。
10.如权利要求9所述的发光元件,其中该发光层为磷化铝铟镓的多重 量子阱结构。
11.如权利要求9所述的发光元件,还包含第二导电型包覆层,位于该 第二导电型局限层下。
12.如权利要求11所述的发光元件,还包含基板,位于该第二导电型包 覆层下。
13.如权利要求12所述的发光元件,还包含第一导电型窗户层与第二导 电型窗户层,分别位于该第一导电型包覆层上以及该基板与该第二导电型包 覆层之间,其中该第一导电型窗户层的出光面与该第二导电型窗户层的下表 面为粗化表面。
14.如权利要求9所述的发光元件,其中该第一导电型局限层厚度与该 第二导电型局限层厚度比约为2至200或/2至1/200。
15.如权利要求9所述的发光元件,其中该发光层的光局限因子小于百 分之六十。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810129294.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光电装置及其制造方法
- 下一篇:像素结构的制作方法以及像素结构