[发明专利]导电膜、电子发射器件和图像显示设备无效
| 申请号： | 200810129452.4 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359567A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 寺田匡宏;小岛诚;岩城孝志;水江雄;伊部刚 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 电子 发射 器件 图像 显示 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种衬底上形成的由合金制成的厚度从3nm到50nm的导电膜，
其中所述导电膜由从过渡金属组A以及贵金属组B中选择的两种或更多种的元素制成，其中所述过渡金属组A由Ni和Co构成，所述贵金属组B由Pd、Pt、Ir、和Rh构成，并且合金中过渡金属组A材料对贵金属组B材料的元素比是2或更大，以及
其中按照元素比，所述导电膜含有30％或更多的石墨碳。
2.如权利要求1所述的导电膜，其中所述导电膜的密度对所述合金的块体密度的比为0.2到0.5，所述导电膜的电阻率对所述合金的块体电阻率的比是100到100000。
3.一种具有按照权利要求1或2所述的导电膜的电子发射器件。
4.一种具有按照权利要求3所述的电子发射器件的图像显示设备。
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