[发明专利]液晶装置及电子设备

说明书

技术领域

本发明的一个方式涉及液晶装置及电子设备，尤其涉及一种利用了 OCB(Optically Compensated Birefringence)模式的液晶装置。

背景技术

在OCB模式的液晶装置中，封入在一对基板间的液晶层被构成为能 够取得喷射(spray)取向或弯曲(bend)取向中任意一种取向状态。而且， 该液晶层在初始状态下成为喷射取向，在进行显示时，通过施加转移电压 使其转移为弯曲取向来使用。这样的OCB模式的液晶装置，由于在显示 动作时通过以弯曲取向的弯曲程度调制透过率来进行显示，所以，具有高 速响应性。

图18表示OCB模式的液晶装置的像素构造的例子，(a)是俯视图， (b)是(a)中的D-D线的剖视图。该液晶装置的像素44如图18(b) 所示，具有元件基板10、对置基板30、和配置在元件基板10及对置基板 30之间的液晶层40。如图18(a)所示，在元件基板10上形成有平行配 置的多根栅极线12和多根源极线14，并与栅极线12和源极线14的交叉 对应地形成有TFT(Thin Film Transistor)元件20。而且，TFT元件20与 像素电极16电连接。像素电极16形成在被两根栅极线12和两根源极线 14包围的区域。俯视情况下，在像素电极16与栅极线12及源极线14之 间设置有间隔。

在使液晶层40从喷射取向向弯曲取向转移时，首先在栅极线12与像 素电极16之间施加转移电压。此时，液晶层40中具有连接栅极线12和 像素电极16的电力线。产生图18(b)所示的电场F。液晶层40中含有 的液晶分子40a根据电场F改变取向方向，向弯曲取向转移。初始阶段， 在栅极线12与像素电极16之间的凹部60或其附近，产生了弯曲取向的 转移核。然后，通过在像素电极16与对置基板30上的公共电极36之间 施加转移电压，能够以转移核为起点，在像素电极16上扩展弯曲取向区 域。这样，可以进行从喷射取向向弯曲取向的转移。这种转移的方法例如 已被专利文献1公开。

专利文献1：特开2001-296519号公报

不过，在上述液晶装置的情况下，转移核主要在像素电极16的外侧 的凹部60的位置产生。为了从该状态开始在像素电极16上扩展弯曲取向 区域，需要超过凹部60与像素电极16之间的阶梯差地进行扩大，因此， 存在着弯曲取向区域难以扩大的问题。基于该问题，为了在像素电极16 上扩大弯曲取向区域，需要高的转移电压，因此，存在着向弯曲取向转移 动作时的耗电增大的问题。而且，在向弯曲取向转移之际，需要到转移核 中产生的弯曲取向区域扩展到像素电极16上的整个范围为止，持续施加 转移电压，其中，像素越大，为了使弯曲取向区域扩展到像素电极16上 的整个范围所需要的时间越长。因此，作为使液晶装置的耗电降低的目的 之一，需求一种能够以更低的转移电压、在更短的时间内进行转移的液晶 装置。

发明内容

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而提出的，可以作为以下的 方式或应用例来实现。

(应用例1)一种液晶装置，具备：第一基板；与所述第一基板对置 配置的第二基板；配置在所述第一基板与所述第二基板之间的、能够取得 喷射取向或弯曲取向中任意一种取向状态的液晶层；在所述第一基板的所 述液晶层侧形成的多根栅极线；在所述第一基板的所述液晶层侧，俯视情 况下形成为与所述栅极线交叉的多根源极线；在所述第一基板的所述液晶 层侧，对应于所述栅极线与所述源极线的交叉而形成的开关元件；和形成 在所述第一基板的所述液晶层侧，与所述开关元件电连接的像素电极；所 述像素电极在俯视情况下，与多根所述栅极线和多根所述源极线中至少和 所述像素电极相邻的一根栅极线的一部分、或和所述像素电极相邻的一根 源极线的一部分重叠。