[发明专利]氧化镁烧成物粉末

说明书

技术领域

本发明涉及一种氧化镁烧成物粉末，其当被由Xe气体的气体放电 而产生的紫外光激发时，放出波长250nm附近的紫外光。

背景技术

交流型等离子体显示面板(以下简称AC型PDP)一般包括作为图 像显示板的前面板和夹持填充有放电气体的放电空间并对置的背面板。 前面板包括前面玻璃基板、前面玻璃基板上形成的一对放电电极、为覆 盖放电电极形成的电介质层、以及在电介质层表面形成的电介质保护 膜。背面板包括背面玻璃基板、背面玻璃基板上形成的地址电极、覆盖 背面玻璃基板和地址电极形成的用于区分放电空间的隔板、以及在隔板 表面形成的赤、绿、青的荧光体层。

放电气体一般利用Xe(氙)和Ne(氖)的混合气体。此混合气中 Xe是放电气体，Ne是缓冲气体。

在电介质保护层的形成材料中，为了降低AC型PDP的工作电压、 保护电介质层不受在放电空间生成的等离子的影响，广泛使用二次放电 系数高、耐溅射性优良的氧化镁。

在AC型PDP中，以提高发光特性为目的，一直以来进行着如下探 讨：在电介质保护层的放电空间侧的表面设置紫外光放出层，该紫外光 放出层利用由放电气体生成的紫外光被激发而放出能够激发荧光体层 的荧光体的波长的紫外光。即，通过除了使用由放电气体放出的紫外光， 还使用由紫外光放出层放出的紫外光激发荧光体层的荧光体，提高荧光 体层的发光效率的方法。

例如专利文献1中公开有AC型PDP，该AC型PDP将紫外光放出 层形成在电介质保护层的放电空间侧的表面上，所述紫外光放出层包含 气相法氧化镁单晶体，该气相法氧化镁单晶体是利用镁被加热所产生的 蒸汽通过气相氧化而生成的，其经BET法测定的平均粒子直径为500 埃以上、优选2000埃以上。而且公开有，该紫外光放出层放出在 230～250nm范围内具有峰波长的紫外光，由于荧光体被该波长的紫外光 激发而发光，因此PDP的亮度增加。

专利文献1：日本特开2006-59786号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种氧化镁烧成物粉末，其作为在AC型 PDP等的气体放电发光装置的电介质保护层上形成的紫外光放出层的 材料有用，当被由Xe气体的气体放电生成的紫外光激发时，高效率地 放出在波长250nm附近具有峰波长的紫外光。

本发明人发现，通过烧成粉末混合物，可以获得相对于镁100摩尔 以0.01～24摩尔量含有氟、且相对于镁100摩尔以0.01～30摩尔量含有 辅助金属的氧化镁烧成物粉末，所述粉末混合物含有氧化镁源粉末、以 及选自碱金属、镁以外的碱土类金属、稀土类金属、铝、锌和锡的至少 1种辅助金属的氟化物的粉末，其相对于氧化镁源粉末中的镁100摩尔 以0.05～30摩尔量含有氟化物。而且，该氧化镁烧成物粉末被由Xe气 体的气体放电生成的紫外光激发时，高效率放出在波长250nm附近(特 别是波长230～260nm的范围)具有峰波长的紫外光，从而完成本发明。

而且本发明人还发现，通过代替上述辅助金属的氟化物粉末，以辅 助金属的量相对于粉末混合物中镁的总量100摩尔为0.05～30摩尔的范 围、且氟化物粉末中的氟量相对于辅助金属1摩尔为0.1～10摩尔的范围 的量使用辅助金属的氧化物粉末或者通过加热转化为金属氧化物的辅 助金属的化合物粉末(除了氟化物粉末)、和选自氟化镁粉末和氟化铵 粉末的至少1种氟化物粉末，也可以获得被由Xe气体的气体放电生成 的紫外光激发、高效率放出波长250nm附近的紫外光的氧化镁烧成物 粉末。

因此，本发明为烧成粉末混合物而获得的氧化镁烧成物粉末，所述 粉末混合物含有氧化镁源粉末、以及选自碱金属、镁以外的碱土类金属、 稀土类金属、铝、锌和锡的至少1种辅助金属的氟化物的粉末，其相对 于氧化镁源粉末中的镁100摩尔以0.05～30摩尔量含有氟化物。粉末混 合物的烧成温度优选为850～1500℃范围的温度。氟化物粉末相对于氧化 镁源粉末中的镁100摩尔优选为0.1～25摩尔的量。