[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 200810129860.X | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101369080A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 境武志;松本克巳 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，其中，
上述显示板具有基板，
上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，
上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，
其特征在于，
上述薄膜晶体管具有：
形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；
形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；
在上述栅极绝缘膜上，形成在上述半导体层上的栅电极；
形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及
在上述绝缘膜上，覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层，
上述金属层是通过连接孔而与上述栅电极连接的栅极布线层，
上述连接孔形成在与上述半导体层重叠的区域以外的区域上。
2.一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，其中，
上述显示板具有基板，
上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，
上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，
其特征在于，
上述薄膜晶体管具有：
形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；
形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；
在上述栅极绝缘膜上，形成在上述半导体层上的栅电极；
形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及
在上述绝缘膜上，覆盖上述栅电极的至少一部分而形成的金属层，
上述金属层是与上述源电极连接的源极布线层和与上述漏电极连接的漏极布线层，
上述源极布线层和上述漏极布线层隔着预定间隔而配置在上述栅电极上。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
从与上述基板正交的方向观察时，上述金属层的端部位于上述栅电极内。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述金属层是铝层。
5.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述薄膜晶体管是在工作时流过500μA以上电流的薄膜晶体管。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
上述基板是玻璃基板。
7.一种显示装置，包括具有多个子像素的显示板和用于驱动上述多个子像素的驱动电路，其中，
上述显示板具有基板，
上述驱动电路具有形成在上述基板上的薄膜晶体管，
上述薄膜晶体管的半导体层由多晶硅构成，
其特征在于，
上述薄膜晶体管具有：
形成在上述基板上的源电极、半导体层和漏电极；
形成在上述源电极、上述半导体层和上述漏电极上的栅极绝缘膜；
在上述栅极绝缘膜上，形成在上述半导体层上的栅电极；
形成在上述栅电极上的绝缘膜；以及
在上述绝缘膜上，覆盖上述栅电极而形成的金属层，
上述金属层是与上述栅电极连接的漏极布线层，
上述栅电极和上述漏电极由上述金属层连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器，未经株式会社日立显示器许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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