[发明专利]具有透明晶体管的CMOS图像传感器

权利要求书

1、一种CMOS图像传感器，包括：

光电二极管；

至少一个晶体管，在光电二极管上。

2、如权利要求1所述的CMOS图像传感器，还包括多个晶体管。

3、如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，至少一个晶体管是透明晶体管。

4、如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，至少一个晶体管包括由半导体氧化物形成的沟道层。

5、如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其中，半导体氧化物是从由氧化锌、氧化锡、氧化铟和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

6、如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其中，半导体氧化物包含从由钽、铪、铟、镓、锶和它们的组合组成的组中选择的至少一种。

7、如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其中，至少一个晶体管中的每个包括位于覆盖光电二极管的第一绝缘层上的源电极和漏电极、覆盖位于第一绝缘层上的源电极和漏电极的半导体氧化物层、覆盖半导体氧化物层的第二绝缘层和位于第二绝缘层上并处于源电极和漏电极之间的栅电极。

8、如权利要求7所述的CMOS图像传感器，其中，源电极和漏电极是透明电极。

9、如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其中，透明电极由氧化铟锡形成。