[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810129907.2 | 申请日： | 2008-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101350329A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李汉春 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/3105;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上形成晶体管；
在所述半导体衬底上形成层间绝缘膜以覆盖所述晶体 管；
在所述层间绝缘膜上形成钝化膜；以及
在包含选自由硼、硅和氢组成的组中的至少一种气体的 气氛中对有具所述钝化膜的所述半导体衬底实施退火。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层间绝缘膜包括硼磷 硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃。
3.根据权利要求1所述的方法，在300℃和420℃之间温度下 在所述气氛中对具有所述钝化膜的所述半导体衬底实施退火。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述气氛包含选自由硅烷 或氢化硼组成的组中的至少一种气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成晶体管包括：在注入 第一组杂质的区域中形成P型MOS晶体管，而在注入第二组 杂质的区域中形成N型MOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括形成电连接至所述晶 体管的通道。
7.一种制造半导体器件的方法，包括：
在包括包含第一杂质的第一区域和包含第二杂质的第二 区域的半导体衬底上形成光电二极管；
在所述半导体衬底上形成层间绝缘膜以覆盖所述光电二 极管；
在所述层间绝缘膜上形成钝化膜；以及
在包含选自由由硼、硅和氢组成的组中的至少一种气体 的气氛中对具有所述钝化膜的所述半导体衬底实施退火。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述层间绝缘膜包括硼磷 硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，具有所述钝化膜的所述半 导体衬底在300℃和420℃之间温度下在气氛中经受退火过 程。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述气氛包含选自由硅烷 或氢化硼组成的组中的至少一种气体。
11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括形成通道以穿过所述 层间绝缘膜和所述钝化膜。
12.一种制造半导体器件的方法，包括：
通过向所述第一区域注入第一组杂质而在半导体衬底的 第一区域中形成P型MOS晶体管；
通过向所述第二区域注入第二组杂质而在半导体衬底的 第二区域中形成N型MOS晶体管；
在所述半导体衬底上形成层间绝缘膜以覆盖所述P型 MOS晶体管和所述N型MOS晶体管；
在所述层间绝缘膜形成钝化膜；以及
在300℃和420℃之间的温度下在包含选自由硼、硅和 氢组成的组中的至少一种气体的气氛中对具有所述钝化膜的 所述半导体衬底实施退火。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述层间绝缘膜包括硼 磷硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述气氛包含选自由硅 烷或氢化硼组成的组中的至少一种气体。
15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括形成电连接至所述 晶体管的通道。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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