[发明专利]在开关调节器中减少启动时间的方法、装置及系统有效
申请号: | 200810130088.3 | 申请日: | 2008-07-23 |
公开(公告)号: | CN101369773A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 黄树良;陶志波;龚大伟 | 申请(专利权)人: | 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体国际股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M3/335 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 201203上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 调节器 减少 启动 时间 方法 装置 系统 | ||
1.一种在开关调节器中减少启动时间的方法,其特征在于,它包括:
使用功率晶体管放大第一电流,其中所述功率晶体管连接到变压器的原边 线圈;和
向用于所述功率晶体管的开关控制器提供偏置电压,其中所述开关控制器 是否接通取决于该偏置电压是否达到接通阈值电压,其中接通所述开关控制器 的持续时间取决于所述偏置电压的增长率,并且其中所述偏置电压的增长率依 赖于所述第一电流的放大幅度。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述提供偏置电压的方法是通 过使用一电容连接到所述开关控制器。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,它进一步包括:在所述偏置电 压到达所述接通阈值电压之前,通过第一路线将放大的电流传送给所述电容。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过第一路线将放大的电 流传送给所述电容包括:闭合开关以提供所述功率晶体管的发射极端和所述电 容之间的传导路径。
5.如权利要求2所述的方法,其特征在于,它进一步包括:
在所述偏置电压达到所述接通阈值电压之后,通过第二路线将所述第一电 流传送给所述电容。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,它进一步包括:
在所述偏置电压达到所述接通阈值电压之后,使用所述变压器的辅助线圈 将所述偏置电压提供给所述开关控制器。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使用功率晶体管放大第一电流 包括:放大所述第一电流(β+1)倍,其中β是由所述功率晶体管提供的增益。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述功率晶体管包括NPN功率 晶体管,所述NPN功率晶体管的发射极的开关动作是基于来自所述开关控制器 的信号。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,它进一步包括:
使用电阻来限制所述第一电流的强度。
10.一种在开关调节器中减少启动时间的系统,其特征在于,包括:
一变压器,所述变压器具有原边线圈、辅助线圈和副边线圈;
一功率晶体管,所述功率晶体管连接到所述原边线圈;
一系统控制器,所述系统控制器控制所述功率晶体管放大电流或者作为开 关工作,其中,所述系统控制器包括连接到所述功率晶体管的开关控制器,并 且当所述功率晶体管作为一个开关工作时,所述开关控制器控制所述功率晶体 管的接通或关断状态;和
一电容,所述电容向所述系统控制器提供电压,其中,在电压达到所述开 关控制器的接通阈值电压之前,所述系统控制器使得所述功率晶体管放大提供 给所述电容的电流,并且其中接通所述开关控制器的持续时间部分地依赖于提 供给所述电容的放大电流的强度。
11.如权利要求10所述的系统,其特征在于,所述系统控制器包括:
一比较器,所述比较器指示是否已经达到所述开关控制器的所述接通阈值 电压。
12.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述系统控制器还包括:
一电阻,所述电阻连接到所述功率晶体管的发射极端;和
一第一开关,所述第一开关连接在所述电阻和所述电容之间,其中所述比 较器控制所述第一开关是否打开,并且其中在到达所述开关控制器的接通阈值 电压之前,所述放大电流流过所述电阻和所述第一开关。
13.如权利要求12所述的系统,其特征在于,所述系统控制器还包括:
一第二开关,所述第二开关将所述功率晶体管的基极端与所述电容相连, 其中在所述比较器检测到所述开关控制器的接通阈值电压到达之后,所述比较 器闭合所述第二开关,并且其中在所述开关控制器的接通阈值电压到达之后, 电流流过所述第二开关。
14.如权利要求13所述的系统,其特征在于,它进一步包括:
二个串联二极管,允许电流从功率晶体管的基极端流到所述电容。
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