[发明专利]液晶显示装置及电子设备

权利要求书

1.一种液晶显示装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

形成在所述衬底上的晶体管；以及

电连接到所述晶体管的像素电极，

其中所述晶体管具有：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所 述栅极绝缘层上的具有微晶结构的半导体层；以及所述具有微晶结构 的半导体层上的缓冲层，

所述半导体层具有沟道形成区域，

所述晶体管的沟道宽度W和所述晶体管的沟道长度L满足 0.1≤W/L≤1.7的关系，且

所述缓冲层包括非晶半导体。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中在所述具有微晶结 构的半导体层上的所述缓冲层中形成有槽部。

3.一种包括根据权利要求1所述的液晶显示装置的电子设备。

4.一种液晶显示装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

形成在所述衬底上的晶体管；以及

电连接到所述晶体管的像素电极，

其中所述晶体管具有：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所 述栅极绝缘层上的具有微晶结构的半导体层；以及所述具有微晶结构 的半导体层上的缓冲层，

所述晶体管的沟道宽度W为1μm以上且5μm以下，且

所述缓冲层包括非晶半导体。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中在所述具有微晶结 构的半导体层上的所述缓冲层中形成有槽部。

6.一种包括根据权利要求4所述的液晶显示装置的电子设备。

7.一种液晶显示装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

形成在所述衬底上的晶体管；以及

电连接到所述晶体管的像素电极，

其中所述晶体管具有：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所 述栅极绝缘层上的具有微晶结构的半导体层；所述具有微晶结构的半 导体层上的缓冲层；所述缓冲层的第一区域上的源区域；所述缓冲层 的第二区域上的漏区域；所述源区域上的第一导电层；以及所述漏区 域上的第二导电层，

所述半导体层具有沟道形成区域，

所述缓冲层包括非晶半导体和在所述第一区域和所述第二区域之 间的槽部，

并且所述晶体管的沟道宽度W和所述晶体管的沟道长度L满足 0.1≤W/L≤1.7的关系，

并且所述缓冲层至少设置在所述沟道形成区域上。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中还包括相对衬底，

其中，所述相对衬底包括在该相对衬底之上的遮光膜、所述遮光 膜上的第一着色膜、所述第一着色膜上的第二着色膜、所述第二着色 膜上的第三着色膜、所述第三着色膜上的相对电极以及所述相对电极 上的隔离物，

且所述衬底与所述相对衬底互相重叠。

9.一种包括根据权利要求7所述的液晶显示装置的电子设备。

10.一种液晶显示装置，包括：

具有绝缘表面的衬底；

形成在所述衬底上的晶体管；以及

电连接到所述晶体管的像素电极，

其中所述晶体管具有：栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘层；所 述栅极绝缘层上的具有微晶结构的半导体层；所述具有微晶结构的半 导体层上的缓冲层；所述缓冲层的第一区域上的源区域；所述缓冲层 的第二区域上的漏区域；所述源区域上的第一导电层；以及所述漏区 域上的第二导电层，

所述缓冲层包括非晶半导体和在所述第一区域和所述第二区域之 间的槽部，

并且所述晶体管的沟道宽度W为1μm以上且5μm以下，

并且所述缓冲层至少设置在所述成为所述晶体管的沟道形成区域 的具有微晶结构的半导体层上。