[发明专利]形成孔洞性材料的方法无效
申请号: | 200810130222.X | 申请日: | 2008-06-16 |
公开(公告)号: | CN101609809A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 吕志鹏;徐国原;徐幸铃;陈冠宇;洪西宗;高坂信夫 | 申请(专利权)人: | 台湾信越矽利光股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省台北市松山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 孔洞 材料 方法 | ||
1.一种形成孔洞性材料的方法,其步骤至少包括:
(1)备置一多孔隙的第一基材、一第二基材及一相容该第一基材且不相容于第二基材的牺牲材;
(2)该第一基材与牺牲材并于该牺牲材的熔点温度以上均匀混炼预定时间,使该牺牲材在适当操作温度下渗入第一基材的孔隙内,接着并静置于室温下使该第一基材与该牺牲材形成第一成品;
(3)再将该第一成品与该第二基材混合,并将该第一成品及第二基材加热至该牺牲材的汽化温度,并配合第二基材所需的交联反应温度条件,此时,该些牺牲材受热汽化逸出该第一基材的孔隙,且该第二基材因聚合反应所产生的高黏度性,而使该第二基材包覆于该第一基材外侧,且该第一基材孔隙可以保留,而形成第二成品。
2.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该第一基材为一无机质。
3.依权利要求2所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该无机质为含孔隙的二氧化硅、氧化铝、铝硅酸盐类、碳掺杂氧化物、氟化硅酸盐玻璃、碳酸钙、磷酸铝、砷酸铝、锗酸铝、黏土、玻璃纤维及碳纤维其中一种以上材质所构成。
4.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该第二基材为一有机质。
5.依权利要求4所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该有机质可为环氧树脂、压克力树脂、聚亚酰胺及聚氨基甲酸酯其中一种以上材质所构成。
6.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该牺牲材的材料选用硅氧烷及石蜡其中一种以上材质所构成。
7.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该牺牲材为六甲基环三硅氧烷,其结构为:
8.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,牺牲材与该第一基材加热至65℃~100℃并均匀混炼1小时。
9.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,该第一成品混合该第二基材,并配合第二基材的交联反应温度条件,此反应温度条件为由室温以每分钟2℃的升温速度升至140℃~170℃并持温1小时。
10.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,于该步骤(2)中,该第一基材及该牺牲材是利用密闭热融法混合。
11.依权利要求1所述的形成孔洞性材料的方法,其中,于该步骤(2)中,该第一基材及该牺牲材是利用溶剂法混合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造