[发明专利]光电装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电装置及其制造方法，特别涉及一种半导体光 电装置及其制造方法。

背景技术

目前，常见的光电装置如发光二极管(light-emitting diode，LED) 是由半导体材料制作而成的发光元件，其具有体积小、发热量低、耗 电量低、没有辐射、不含水银、寿命长、反应速度快以及可靠度高等 优点。因此，发光二极管可广泛应用于信息、通讯、消费性电子、汽 车、照明以及交通号志等。

请参照图1所示，以蓝光发光二极管1为例说明，其包含一基板 11、一N型半导体层131、一发光层132、一P型半导体层133以及一 透明导电层14。发光层132位于N型半导体层131与P型半导体层133 之间，透明导电层14位于P型半导体层133上方。

一般而言，发光二极管1的电压以及电流的关系呈指数关系。当 在一P型电极15以及一N型电极16间施加一电压，且该电压大于导 通电压(threshold voltage)时，发光二极管1的电流迅速增加，同 时开始发光。

为使得N型半导体层131、发光层132以及P型半导体层133具有 较佳的磊晶结构，基板11为一蓝宝石(sapphire)基板。由于蓝宝石 基板不导电，因此，公知蓝光发光二极管的P型电极15及N型电极16 设置于相同侧，而造成部分空间的浪费。

然而，发光二极管1仍存在发光效率不佳的问题，因此，如何提 供一种提高发光效率的光电装置及其制造方法，实属当前重要课题之 一。

发明内容

有鉴于上述课题，本发明的目的是提供一种能够提高发光效率的 光电元件及其制造方法。

为达上述目的，本发明提供一种光电装置的制造方法，其包含下 列步骤：形成一光电元件于一图案化牺牲基板上，使得光电元件具有 一图案化侧；形成一承载基板于光电元件上方来承载该光电元件；以 及剥离图案化牺牲基板。

为达上述目的，本发明提供一种光电装置，其包含一承载基板以 及一光电元件。光电元件具有一第一侧以及一第二侧。其中，第一侧 具有一转印图案，承载基板位于第二侧。

承上所述，依据本发明的光电装置及其制造方法，其是将光电元 件形成于图案化牺牲基板上使光电元件具有一图案化侧，图案化牺牲 基板上的图案可转印到光电元件的图案化侧。然后图案化牺牲基板剥 离之后会使得光电元件的图案化侧露出，图案化侧上的图案可用来提 高发光效率。

附图说明

图1为公知发光二极管装置的示意图；

图2为依据本发明第一实施例的光电装置的制造方法的步骤流程 图；

图3A至图3E为依据本发明第一实施例的光电装置的制造方法的 示意图；

图4A至图4F为依据本发明第一实施例的光电装置的图案化牺牲 基板上图案的示意图；

图5为依据本发明第二实施例的光电装置的制造方法的步骤流程 图；

图6A至图6I为依据本发明第二实施例的光电装置的制造方法的 示意图；

图7A至图7B为依据本发明第二实施例的光电装置的图案化牺牲 基板的示意图；

图8A至图8D为依据本发明第二实施例的光电装置的粗化结构的 示意图；

图9为依据本发明第二实施例的光电装置的图案介电层的示意图；

图10为依据本发明第三实施例的光电装置的制造方法的步骤流程 图；

图11A至图11J为依据本发明第三实施例的光电装置的制造方法 的示意图；以及

图12A至图12B为依据本发明第三实施例的光电装置的图案介电 层的示意图。

元件符号说明：

1：发光二极管

11、311、411：基板

131：N型半导体层

132：发光层

133：P型半导体层

14：透明导电层

15：P型电极

16：N型电极

2、3、4：光电装置

21、31、41：图案化牺牲基板

22、32、42：光电元件

221、321、421：图案化侧

222、322、422：第一半导体层

223、323、423：发光层

224、324、424：第二半导体层