[发明专利]阻绝飞溅的熔丝结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种熔丝结构，具体地说，是一种阻绝飞溅的熔丝结构。

背景技术

在集成电路中，常用雷射切断熔丝结构中的金属熔丝来调整其电路特性。

现请参阅图1～图4，图1为一种已知熔丝结构的剖面图；图2为图1的熔丝结构的上视图；图3为过度蚀刻的熔丝结构示意图；图4为融熔金属飞溅至相邻金属熔丝上的示意图。如图所示，所述金属熔丝120-126位于已具有组件结构的基板110上，绝缘层130-136分别位于金属熔丝120-126与基板110之间，所述保护层140覆盖在金属熔丝120-126的四周，避免以雷射切割目标金属熔丝时，例如金属熔丝126，因金属熔丝126被雷射击中产生的融熔金属飞溅(splashing)到与其相邻的金属熔丝而产生短路，例如金属熔丝124。但是，就制程上的考虑而言，若保护层140厚度过厚，则金属熔丝120-126不易被雷射切断，造成电路调整的困难，因此保护层140的厚度须控制在一定的范围内，然而金属熔丝120-126周围的保护层140容易因过度蚀刻(over-etch)而消失，因而形成如图3所示的结构，导致雷射击中金属熔丝126时，融熔金属飞溅(splashing)到金属熔丝124而产生短路，如图4的虚线部分所示。其中，绝缘层130-136及保护层140可以是氧化层。

另一种已知的解决金属飞溅的方法是增加金属熔丝之间的距离。现请参阅图5和图6，图5为另一种已知的熔丝结构的剖面图，图6为图5的熔丝结构的上视图。如图所示，所述金属熔丝220-224位于已具有组件结构的基板210上，绝缘层230-234分别位于熔丝220-224与基板210之间，图5及图6中金属熔丝220-224之间的距离为图3中金属熔丝120-126之间的距离的五倍，因此当雷射击中目标金属熔丝222时，融熔金属飞溅到与其相邻的金属熔丝220及224的机率将变得很小，因而解决以雷射切割金属熔丝220-224所造成的短路的问题，然而，此种增加金属熔丝220-224间距的方法却增加了所需的芯片面积，导致成本增加，而且以雷射切割目标金属熔丝时，融熔的金属仍有可能飞溅到与其相邻的金属熔丝上。因此已知的熔丝结构存在着上述种种不便和问题。

发明内容

本发明的目的，在于提出一种阻绝飞溅的熔丝结构。

为实现上述目的，本发明的技术解决方案是：

一种阻绝飞溅的熔丝结构，包括一已具有组件结构的基板，复数个熔丝，复数个绝缘层和复数个隔离单元，其特征在于：

所述已具有组件结构的基板上设有所述复数个熔丝；

所述复数个绝缘层是位于所述复数个熔丝与所述基板之间；

所述复数个隔离单元穿插在所述复数个熔丝之间，所述复数个隔离单元的高度高于所述复数个熔丝的高度。

本发明的阻绝飞溅的熔丝结构还可以采用以下的技术措施来进一步实现。

前述的阻绝飞溅的熔丝结构，其中所述熔丝包括金属熔丝。

前述的阻绝飞溅的熔丝结构，其中所述复数个绝缘层包括氧化层。

前述的阻绝飞溅的熔丝结构，其中所述复数个隔离单元中的每一个隔离单元包括一上层金属结构。

前述的阻绝飞溅的熔丝结构，其中所述上层金属结构包括：

一金属层，位于所述基板上；

一第二绝缘层，位于所述金属层与所述基板之间，所述第二绝缘层的高度高于所述复数个熔丝的高度。

前述的阻绝飞溅的熔丝结构，其中所述第二绝缘层包括氧化层。

前述的阻绝飞溅的熔丝结构，其中更包括一保护层，所述保护层覆盖所述基板，所述复数个熔丝和所述复数个隔离单元。

采用上述技术方案后本发明的阻绝飞溅的熔丝结构具有以下优点：

(1)有效阻绝飞溅。

(2)减少芯片面积。

(3)降低芯片制造成本。

附图说明

图1为一种已知熔丝结构的剖面图；

图2为图1的熔丝结构的上视图；

图3为过度蚀刻的熔丝结构示意图；

图4为融熔金属飞溅至相邻金属熔丝上的示意图；

图5为另一种已知的熔丝结构的剖面图；

图6为图5的熔丝结构的上视图；

图7为本发明的熔丝结构的剖面图；

图8为图7的熔丝结构的上视图；

图9为图7的熔丝结构在保护层蚀刻后的剖面图；

图10为图9的熔丝结构在雷射切割后的剖面图。

具体实施方式

以下结合实施例及其附图对本发明作更进一步说明。