[发明专利]平坦化金属凸块表面的方法有效

专利信息
申请号: 200810130466.8 申请日: 2008-07-04
公开(公告)号: CN101621015A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 傅文勇 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/485
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 平坦 金属 表面 方法
【权利要求书】:

1.一种平坦化金属凸块的方法,包含:

提供一晶片,具有一主动面及一背面,且于该主动面上具有多个金属凸块,其中每一该金属凸块的一表面为一粗糙表面;

提供一平坦装置,其具有一上压板;

传送该晶片置放在该平坦装置上,以使该晶片的该主动面的这些金属凸块朝向该上压板的下表面;

施予一压力于该晶片的该主动面的这些金属凸块上,是将该上压板的该下表面向下且与该晶片的该主动面上的这些金属凸块的该粗糙表面接触,以平坦化该晶片的该主动面上的这些金属凸块的该粗糙表面;及

移除该上压板,是将该上压板与该晶片的该主动面的这些金属凸块分离,以使得该晶片的该主动面上的这些金属凸块的表面为一平坦化的表面。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于该上压板为刚性压板。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于该上压板为软性压板。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于该上压板的该下表面为一平坦表面。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于该施予一压力的步骤为一真空抽吸的方式,以使得该平坦装置的上压板与该芯片的该主动面上的这些金属凸块之间处于一负压。

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