[发明专利]半导体晶片研磨用组合物和研磨方法

权利要求书

1.半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，含有包含固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。

2.如权利要求1所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，含有包含在粒子内部固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。

3.如权利要求1所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，含有包含二氧化硅粒子的胶态二氧化硅，所述二氧化硅粒子通过在表面配置以含有四乙基铵的二氧化硅作为主成分的被膜而将四乙基铵固定，且分散在水中的二氧化硅粒子的浓度为0.5～50重量％。

4.如权利要求1所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，在上述固定了四乙基铵的二氧化硅粒子中含有的四乙基铵的浓度，以四乙基铵/二氧化硅的摩尔比计为5×10-4～2.5×10-2的范围。

5.如权利要求1所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，含有使25℃时酸解离常数的倒数的对数值(pKa)为8.0～12.5的弱酸和强碱组合而成的缓冲溶液，且在pH 8～11之间具有缓冲作用。

6.如权利要求5所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，构成上述弱酸的阴离子为碳酸离子和碳酸氢离子中的至少一种，且构成上述强碱的阳离子为胆碱离子、四甲基铵离子或者四乙基铵离子中的至少一种。

7.如权利要求1所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，以上述固定了四乙基铵的二氧化硅粒子与没有固定四乙基铵的球状二氧化硅粒子的混合物的形式构成，该固定了四乙基铵的二氧化硅粒子的浓度为0.5～10重量％，且二氧化硅粒子的总浓度为0.5～50重量％。

8.如权利要求1所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，相对于二氧化硅的碱金属含有率为50ppm以下。

9.如权利要求2所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，上述固定了四乙基铵的二氧化硅粒子利用电子显微镜观察得到的平均短径为5～30nm，且含有形成了长径/短径比为1.5～15的非球状异形粒子组的胶态二氧化硅。

10.如权利要求3所述的半导体晶片研磨用组合物，其特征在于，上述固定了四乙基铵的二氧化硅粒子利用电子显微镜观察得到的平均粒径为15～50nm，且含有形成了球状粒子组的胶态二氧化硅。