[发明专利]陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的多层陶瓷电容器有效
申请号: | 200810131007.1 | 申请日: | 2008-08-19 |
公开(公告)号: | CN101654360A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
发明(设计)人: | 方沧泽;钟瀚扬;萧朝光;简廷安 | 申请(专利权)人: | 达方电子股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30;H01L41/187 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 组合 陶瓷材料 及其 制成 多层 电容器 | ||
技术领域
本发明涉及一种陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的多层陶瓷电容 器,且特别涉及一种可符合X8R温度范围的陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及 其所制成的多层陶瓷电容器。
背景技术
近年来,由于电子元件的发展趋势朝向小型化、芯片化、多功能化及高 容量化,各种整合型技术开始受到重视,电容器亦不例外,除了元件薄小化 与多层化的设计已是不可避免的趋势外,高电容值及微小管芯结构的介电材 料设计要求也日益严谨,因此陶瓷电容器的发展亦朝向在最小体积发挥最大 功能的方向进行开发。
商用陶瓷电容器的应用以Class II为主,可略分为Y5V、X5R、X7R等 规格,其中以X7R规格较为严谨,X7R基本上所要求的规格是指在温度范 围于-55℃~125℃间(以25℃为基准),其相对容值变化量小于15%。目前, 可符合X7R规格的材料,其中之一为钛酸钡(BaTiO3)系统,是以钛酸钡为主 体配方,并额外添加一些微量的修饰剂,如Ta2O5、Nb2O5、Nd2O5、CoO、 NiO、CeO2与MnCO3等,以修饰其烧结体的介电特性。
然而,符合X7R规格的陶瓷电容器,仅适用于温度范围介于-55℃~125 ℃之间的环境,如果在作业环境系统高于125℃的状态下,如:石油探勘、 汽车或航空的电子设备应用等,对X7R规格的陶瓷电容器于高温环境下使 用有一定的忧虑,而具有相对的使用限制。
发明内容
有鉴于此,本发明所欲解决的问题在于克服X7R使用限制上的问题, 而提供一种可符合X8R温度范围(即温度范围于-55℃~150℃间其相对容值 变化率小于15%)的陶瓷粉体组合物、陶瓷材料及其所制成的多层陶瓷电容 器。
为解决上述问题,本发明所提出的技术手段在于,本发明提供一种介电 质陶瓷粉体组成物,包括主成份以及玻璃质成份,主成份由100BaTiO3+αAO+βMnO+γB2O5+δRe2O3组成,其中α、β、γ与δ为莫耳比例常数,0.8 ≦α≦2.5,0≦β≦0.4,0.06≦γ≦0.6,0.3≦δ≦5,且元素A选自镁(Mg)、 钙(Ca)、锶(Sr)及钡(Ba)所组成的群组,元素B选自钒(V)、铌(Nb)及钽(Ta) 所组成的群组,元素Re选自钇(Y)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥 (Tm)、及镱(Yb)所组成的群组,玻璃质成份,由氧化物SiO2-TiO2-XO所组 成,该化学式亦可表示为X(Si1-θTiθ)O3,其中0≦θ≦0.4,且X选自钡(Ba)、 钙(Ca)、锶(Sr)镁(Mg)、锌(Zn)及锰(Mn)所组成的群组,且该玻璃质成份与 该BaTiO3的摩尔比例常数值介于0~0.02之间。
上述发明实施例中,陶瓷粉体组合物还包含掺杂物氧化锆(ZrO2),此掺 杂物氧化锆的添加量与该BaTiO3的摩尔比例常数值介于0~0.025之间。
本发明另外提供一种陶瓷材料,是由上述的陶瓷粉体组合物所烧结而 成,其烧结温度为1150~1250℃。
本发明另外提供一种多层陶瓷电容器,包含:陶瓷介电质,是由上述的陶 瓷粉体组烧结而成;多个内部电极,大体上平行延伸于该陶瓷介电质内;以 及至少一外部电极,曝露于该陶瓷介电质外,并电性连接这些内部电极。
上述发明实施例中,多层陶瓷电容器的容值变化量符合X8R温度范围, 亦即在温度范围于-55℃~150℃之间,其相对容值变化量小于15%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于达方电子股份有限公司,未经达方电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810131007.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:抗凝化合物、组合物及其用途
- 下一篇:离线高透净色低辐射镀膜玻璃及其制造方法