[发明专利]芯片堆叠封装

权利要求书

1.一种芯片堆叠封装，包括利用粘着层作为中间媒介被堆叠的多个芯 片，还包括：

穿过所述多个芯片形成以电连接所述多个芯片的第一贯通电极，和

穿过所述多个芯片形成以电连接所述多个芯片的第二贯通电极，

其中所述第一贯通电极包括电源贯通电极和接地贯通电极，所述第二贯 通电极包括信号传递贯通电极，

其中所述第一贯通电极由第一材料形成，所述第二贯通电极由不同于所 述第一材料的第二材料形成且不包括所述第一材料，所述第一材料的电阻率 小于所述第二材料的电阻率，所述第一贯通电极的横截面尺寸等于所述第二 贯通电极的横截面尺寸。

2.如权利要求1所述的封装，其中所述第一贯通电极由铜形成，并且 所述第二贯通电极由掺杂有杂质的多晶硅形成。

3.如权利要求1所述的封装，其中所述芯片形成在晶片上，并晶片级 堆叠芯片，从而包括晶片堆叠封装。

4.如权利要求1所述的封装，其中所述芯片形成在布线基底上，外部 输入/输出端形成在所述布线基底的底面。

5.一种芯片堆叠封装，包括：

利用粘着层作为中间媒介彼此堆叠的多个芯片；以及

多个贯通电极，包括穿过所述多个芯片形成以彼此电连接所述多个芯片 的第一贯通电极和穿过所述多个芯片形成以彼此电连接所述多个芯片的第 二贯通电极，

其中所述第一贯通电极包括电源贯通电极和接地贯通电极，所述第二贯 通电极包括信号传递贯通电极，

其中所述第一贯通电极由第一材料形成，所述第二贯通电极由不同于所 述第一材料的第二材料形成且不包括所述第一材料，

并且其中所述第一贯通电极的横截面尺寸大于所述第二贯通电极的横 截面尺寸，

所述第一材料的电阻率小于所述第二材料的电阻率。

6.如权利要求5所述的封装，其中所述第一贯通电极由铜形成，并且 其中所述第二贯通电极由掺杂有杂质的多晶硅形成。

7.如权利要求5所述的封装，其中所述芯片形成在晶片上，并晶片级 堆叠芯片，从而包括晶片堆叠封装。

8.如权利要求5所述的封装，其中所述芯片形成在布线基底上，外部 输入/输出端形成在所述布线基底的底面。

9.一种芯片堆叠封装，包括：

利用粘着层作为中间媒介堆叠在布线基底上的多个芯片；

穿过所述多个芯片形成以彼此电连接所述多个芯片并电连接到所述布 线基底的第一贯通电极；和

穿过所述多个芯片形成以彼此电连接所述多个芯片的第二贯通电极，

其中所述第一贯通电极包括电源贯通电极和接地贯通电极之一，所述第 二贯通电极包括信号传递贯通电极，

其中所述第一贯通电极的横截面尺寸大于所述第二贯通电极的横截面 尺寸，

其中所述第一贯通电极由第一材料穿过所述多个芯片连续地形成，所述 第二贯通电极由第二材料穿过所述多个芯片连续地形成，

其中所述第一材料具有低于所述第二材料的电阻率。

10.如权利要求9所述的封装，其中所述第一贯通电极由铜形成，并且 其中所述第二贯通电极由掺杂有杂质的多晶硅形成。

11.如权利要求9所述的封装，其中所述芯片形成在晶片上，并晶片级 堆叠芯片，从而包括晶片堆叠封装。

12.如权利要求9所述的封装，其中所述芯片形成在布线基底上，外部 输入/输出端形成在所述布线基底的底面。