[发明专利]半导体结构与绝缘结构的形成方法

权利要求书

1.一种绝缘结构的形成方法，包含：

提供基底，该基底上具有图案化掩模层，该基底中包含部份填满硅的第一深沟槽、邻近该第一深沟槽并填满硅的第二深沟槽与位于该第一深沟槽与该第二深沟槽之间的浅沟槽隔离，且该图案化掩模层具有定义该第一深沟槽的第一开口与该第二深沟槽的第二开口，其中分别在该第一深沟槽与该第二深沟槽内部、该基底中另具有邻近该图案化掩模层的第一底切与第二底切；

将第一绝缘材料部分填满该第一深沟槽与该第二深沟槽以形成该绝缘结构；以及

移除该图案化掩模层，使得该第一绝缘材料突出该基底表面，且该第一底切与该第二底切分别形成第一空洞与第二空洞。

2.如权利要求1的方法，其中该图案化掩模层包含图案化衬垫层与图案化缓冲层。

3.如权利要求2的方法，其中该图案化衬垫层与该图案化缓冲层分别包含氮化物。

4.如权利要求1的方法，其中于该第一绝缘材料包含氧化物。

5.如权利要求1的方法，其中使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积该第一绝缘材料。

6.如权利要求1的方法，其中使用等离子体辅助式化学气相沉积来沉积该第一绝缘材料。

7.如权利要求1的方法，在移除该图案化掩模层之后还包含：

对该基底进行半导体工艺。

8.如权利要求7的方法，其中该半导体工艺选自离子阱工艺、阈值电压注入工艺、去光致抗蚀剂工艺、清洗工艺、栅极结构工艺与金属硅化物工艺。

9.如权利要求7的方法，其中该半导体工艺更扩大该第一空洞与该第二空洞。

10.如权利要求1的方法，其中该绝缘结构作为过路栅极绝缘结构。

11.一种半导体结构，包含：

基底，其中具有第一深沟槽、第二深沟槽与邻接该第一深沟槽与该第二深沟槽的浅沟槽隔离；

第一导电材料部分填充于该第一深沟槽内；

第二导电材料部分填充于该第二深沟槽内；

第一绝缘层，位于该第一导电材料上、填满该第一深沟槽并暴露部份该第一导电材料；

第二绝缘层，位于该第二导电材料上、填满该第二深沟槽并暴露部份该第二导电材料，其中该第一绝缘层与第二绝缘层作为绝缘结构；

栅极，位于该第一绝缘层与该第二绝缘层的至少之一上；

介电层，覆盖该基底、该第一绝缘层、该第二绝缘层与该栅极；

第一接触插塞，位于该介电层中并电连接该第一导电材料；以及

第二接触插塞，位于该介电层中并电连接该第二导电材料。

12.如权利要求11的半导体结构，其中该绝缘结构作为过路栅极绝缘结构。

13.如权利要求11的半导体结构，其中该第一绝缘层包含单一绝缘材料层。

14.如权利要求11的半导体结构，其中该第一绝缘层包含氧化物。

15.如权利要求11的半导体结构，其中该第二绝缘层包含单一绝缘材料。

16.如权利要求11的半导体结构，该第二绝缘层包含氧化物。

17.如权利要求11的半导体结构，其中该半导体结构另具有第一深沟槽延伸区与第二深沟槽延伸区位于该基底中并分别连接该第一深沟槽与该第二深沟槽。

18.如权利要求11的半导体结构，其中经由该第一深沟槽延伸区暴露部份该第一导电材料，经由该第二深沟槽延伸区暴露部份该第二导电材料。

19.一种绝缘结构的形成方法，包含：

提供基底，且该基底中具有浅沟槽隔离；

于该基底表面形成图案化掩模层；

通过该图案化掩模层蚀刻该基底，以于该浅沟槽隔离相对两侧分别形成第一深沟槽与第二深沟槽；

于该第一深沟槽与该第二深沟槽中分别部分填入导电材料；

以第一绝缘材料填满该第一深沟槽与该第二深沟槽；以及

移除该图案化掩模层。

20.如权利要求19的方法，其中形成该第一深沟槽与该第二深沟槽同时形成第一底切与第二底切于该图案化掩模层下方的该基底中，使得移除该图案化掩模层时，该第一底切与该第二底切分别形成第一空洞与第二空洞。