[发明专利]离子产生器无效

专利信息
申请号: 200810131015.6 申请日: 2008-08-19
公开(公告)号: CN101453819A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 印南正义 申请(专利权)人: 修谷鲁电子机器股份有限公司
主分类号: H05F3/04 分类号: H05F3/04;H01T19/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 黄小临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 离子 产生器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及包括用于检测放电电极和除电对象物之间的距离的距离传感器的离子产生器。

背景技术

图4是在专利文献1中所记载的脉冲AC方式的离子产生器的结构图。

在图4中,21表示交流电源、22表示开关、30表示升压整流电路、31表示变压器、32表示倍压整流电路、41、43、44表示电阻、42表示电容器、50表示放电电极、60表示对开关22进行开关控制的控制电路、61表示存储器、70表示控制台(console)、A表示除电对象物。

该现有技术的基本动作为如下所述。

即,因从放电电极50生成并放出的正负离子的量受到除电对象物A带有正负哪种电的影响,所以由电阻44的两端电压来检测正负离子量的差,将该电压检测值输入到控制电路60。在控制电路60内的存储器61中,预先存储有对应于所述电压检测值的电压调整电平,控制电路60以对应于该电压调整电平的占空比,对开关22进行接通/断开控制。

由此,例如在除电对象物A带有正电的情况下,进行多生成负离子的控制,从而其结果,进行除电对象物A的快速的除电。

这里,在图4的现有技术中,可以从控制台70输入放电电极50和除电对象物A之间的距离。

即,在一律地决定对放电电极50的施加电压而与放电电极50和除电对象物A之间的距离无关的情况下,存在到达除电对象物A的表面的正离子或者负离子不够或过剩的顾虑。

因此,在上述现有技术中,考虑了控制电路60不仅采用电阻44的电压检测值,还采用了通过控制台70输入的放电电极50和除电对象物A之间的距离,同时从存储器61读出适当的电压调整电平,对开关22进行接通/断开控制,从而可以可靠地进行除电而与除电对象物A之间的距离无关。

[专利文献1]特开2004-207150号公报([0028]~[0036],图1、图2等)

根据图4的现有技术,通过采用放电电极50和除电对象物A之间的距离来控制对放电电极50的施加电压,从而可以缩短除电时间,但是因使用者自己必需从控制台70输入距离信息,所以其输入操作变得麻烦。

特别是,在目测输入距离的情况下,无法期望正确的控制,此外,若为了期待正确而实测距离,则产生操作变得更加麻烦,花费较多时间的问题。

尤其是,在以往的离子产生器中,有即使不存在除电对象物的情况下,也有继续产生离子的情况,存在极力消除这样的状态以避免能量的浪费的需求。

因此,本发明的解决课题在于,提供一种离子产生器,其可以对位于任意的距离的除电对象物在短时间内有效地进行除电而不需要人为地输入距离等的烦杂的步骤,同时有助于节省能量。

发明内容

为了解决上述课题,在技术方案1记载的发明是,对放电电极施加高电压来产生电晕放电,根据在放电电极的周围产生的离子对除电对象物进行除电的离子产生器,其包括:

距离传感器,测量放电电极和除电对象物之间的距离;以及

控制部件,用于根据由该距离传感器所测量的距离,改变对放电电极施加的电压。

在技术方案2记载的发明是,在技术方案1记载的离子产生器中,

所述控制部件进行控制,以由所述距离传感器所测量的距离越长,施加到所述放电电极的电压越大。

在技术方案3记载的发明是,在技术方案1或技术方案2记载的离子产生器中,

所述控制部件根据由所述距离传感器所测量的距离,改变施加到所述放电电极的电压脉冲的脉冲宽度。

根据本发明,距离传感器测量放电电极和除电对象物之间的距离,根据其距离,控制部件经由高电压产生电路改变对放电电极的施加电压。

由此,可以自动地进行控制,使得至除电对象物之间的距离越短,则上述施加电压越小,距离越长,则施加电压越大,可以使到达除电对象物的离子量为一定而与距离无关。因此,与将施加电压设为一定的情况相比,能够缩短位于远处的除电对象物的除电时间。

此外,在距离传感器可测量的距离的范围内不存在除电对象物的情况下,将表示没有除电对象物或者无法测量的信号发送到控制部件,从而停止对放电电极的高电压施加,可以削减消耗功率。

附图说明

图1是本发明的实施方式的离子产生器的概略的结构图。

图2(a)是通过脉冲AC方式对放电电极的施加电压波形,图2(b)是通过脉冲DC方式对放电电极的施加电压波形。

图3是表示了实施方式中的放电电极和除电对象物之间的距离和施加到放电电极的正电压脉冲之间的关系的概念图。

图4是表示现有技术的结构图。

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