[发明专利]包括叠置NAND型电阻存储器单元串的非易失性存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

基板；

位于所述基板上的绝缘层；

多个串联连接的电阻存储器单元，叠置在所述绝缘层上，以使得 所述多个电阻存储器单元中的第一个存储器单元位于所述基板上，且 所述多个电阻存储器单元中的下一个存储器单元位于所述多个电阻存 储器单元中的第一个存储器单元上；和

位线，位于所述绝缘层上且电连接到所述多个电阻存储器单元中 的最后一个存储器单元，

其中，所述多个电阻存储器单元中的至少一个存储器单元包括：

开关设备，包括主体图案和位于该主体图案侧壁上的栅极电极， 该主体图案包括叠置在所述绝缘层中的源极区、沟道区和漏极区；和

与所述开关设备并联连接的数据存储元件，其中所述数据存储元 件包括：

与所述开关设备的主体图案隔开的下电极，所述下电极形成加热 元件；

位于所述下电极上的可变电阻器；和

位于所述可变电阻器上的上电极，

其中，所述多个电阻存储器单元中的第一个存储器单元的上电极 位于所述多个电阻存储器单元中下一个存储器单元的下电极和主体图 案之下。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

位线接触插塞，位于所述多个电阻存储器单元中的最后一个存储 器单元的上电极上，

其中，所述位线通过所述位线接触插塞直接连接到所述多个电阻 存储器单元中的最后一个存储器单元的上电极。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述开关设备的 栅极电极包括在所述绝缘层中基本垂直于所述位线延伸的字线。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述可变电阻器 包括相变材料层，该相变材料层被配置成响应于经由所述下电极施加 至其的热量在非晶态和结晶态之间转换。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器件，进一步包括：

位于所述基板上的主开关设备，其中，所述主开关设备电连接到 所述多个电阻存储器单元中的第一个存储器单元。

6.如权利要求5所述的非易失性存储器件，其中所述主开关设备 包括：

位于所述基板中的主源极区和主漏极区；和

在所述主源极区与所述主漏极区之间的所述基板上的主栅极电 极，

其中，所述主漏极区电连接到所述多个电阻存储器单元中的第一 个存储器单元的下电极和主体图案。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器件，其中所述开关设备的 栅极电极位于所述主体图案的相对侧壁上。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器件，其中所述可变电阻器 和所述下电极被限定在所述绝缘层中的接触孔内。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器件，进一步包括：

位于所述接触孔的侧壁与所述可变电阻器之间的绝缘隔离物。