[发明专利]利用阳极处理所产生的金属氧化物的静电导引结构有效

专利信息
申请号: 200810131236.3 申请日: 2008-08-01
公开(公告)号: CN101640968A 公开(公告)日: 2010-02-03
发明(设计)人: 陈昱宏 申请(专利权)人: 英业达股份有限公司
主分类号: H05F3/02 分类号: H05F3/02
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁 挥;张燕华
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 利用 阳极 处理 产生 金属 氧化物 静电 导引 结构
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种静电释放结构,特别涉及一种利用阳极处理所产生的金属 氧化物的静电导引结构。

背景技术

电子设备大多数处于静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)的环境中, 静电放电因带电荷物体所形成的电场使附近的气体电离所产生的放电现象,静 电的干扰会破坏了电子组件或者电路,而其它处于静电释放危险的电子组件虽 没有立即损害影响,但已造成电子设备质量降低,亦缩短电子设备使用寿命。

ESD产生的电压相当高。当环境中的相对湿度低于50%以下时,人体上 所累积的静电电荷的电压可能超过3万伏特,然而多数的静电敏感组件所能承 受的电压大多小于100伏特,甚至有些电子组件仅10伏特就会遭到破坏。特 别是具有微电子组件的电子设备,其中的微电子组件对于ESD更是敏感。此 些微电子组件多是由绝缘层、导电层或半导体层等极微小的结构迭合而成,因 此瞬间的静电放电将可能导致微电子组件内部的结构损坏。易受到ESD伤害 的微电子组件例如为处理器、特殊应用集成电路组件(ASICS)和诸如存取内 存(RAM)和只读存储器(ROM)等存储组件等。

此外,ESD还会形成作业环境的干扰。ESD所传递或发射出来的能量可 能会被操作系统误认为是有效的数据,因而造成数据在传输过程中引发暂时性 的错误。

在静电相关的法规要求下,于电子设备及其相关组件的制造过程中,通常 会采用与接地或负电压电性连接的方式来防止静电产生。

近几年来,台式计算机、移动计算机、移动电话、数字影音装置等消费性 电子设备日趋普遍。由于金属色泽具有较高雅的视觉效果,许多电子设备多采 用金属壳体做为外壳。将金属壳体直接电性连接至接地或负电压,虽能降低静 电放电的效应。然而,使用者于接触外壳时,往往会感觉到触电的现象。此状 况则是因为漏电流的关系。漏电流的产生不但会造成使用者的不适,过大时亦 有可能危害人体。

发明内容

鉴于以上的问题,本发明的目的在于提供一种利用阳极处理所产生的金属 氧化物的静电导引结构,以解决现有技术所存在静电放电及漏电流的问题。

本发明所揭露的利用阳极处理所产生的金属氧化物的静电导引结构,适用 于电子设备。此利用阳极处理所产生的金属氧化物的静电导引结构包括:金属 壳体、氧化层、系统接地层和至少一导体。

金属壳体,并且系统接地层和导体位于金属壳体内。金属壳体经过阳极处 理后,于其表面上形成有氧化层。

导体电性连接至金属壳体内侧表面上的氧化层和系统接地层,以致使形成 于金属壳体上的静电能被释放到系统接地层。

其中,金属壳体内容置有电路板,并且此电路板上设置有至少一电子组件。 此些电子组件用以执行应用本发明一实施例的电子设备的功能运作。

再者,可使用塑料壳体将执行电子设备的功能运作的各种组件(例如:电 路板和电子组件)与金属壳体隔离。

于此,塑料壳体位于金属壳体的一侧,即容置于金属壳体内。塑料壳体相 对于金属壳体的另一侧的表面上可形成有另一系统接地层,并且此系统接地层 会与电路板上的接地接点电性相连,以致使电子设备能具有较大面积的系统接 地。

本发明所揭露的利用阳极处理所产生的金属氧化物的静电导引结构,适用 于用以提供电力的电子设备。以电池组件为例,在一实施例中,此利用阳极处 理所产生的金属氧化物的静电导引结构包括:塑料壳体、金属壳体、氧化层和 至少一导体。电池组件具有至少一电池(cell),且此电池用以提供电力。

塑料壳体设置于金属壳体的容置空间内,即金属壳体位于塑料壳体外侧。

电池设置于塑料壳体内侧。

金属壳体经过阳极处理后,于其表面上形成有氧化层。

导体电性连接至金属壳体近塑料壳体的一侧的表面上的氧化层,以提供氧 化层和电子设备的系统接地之间的电性连结。

其中,电池组件上可设置有第一接地接脚。此第一接地接脚会对应于设置 于电子设备上的第二接地接脚。第一接地接脚电性连接导体。且第二接地接脚 电性连接电子设备的系统接地。

当电池组件与电子设备结合时,第一接地接脚会与第二接地接脚接触而电 性导通,以形成氧化层和电子设备的系统接地之间的电性连结。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英业达股份有限公司,未经英业达股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810131236.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top