[发明专利]显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底及所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜；

将激光束照射到所述微晶半导体膜；

在进行所述照射步骤之后，在所述微晶半导体膜上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜；

通过利用掩模来选择性地蚀刻所述添加有赋予一导电类型的杂质元素的半 导体膜和所述缓冲层，形成源区及漏区；

利用所述掩模在所述源区及漏区上分别形成源电极及漏电极；以及

形成与所述源电极及漏电极中的一方接触的像素电极。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括如下 步骤：

在所述源电极及漏电极上形成层间绝缘膜；

在所述源电极及漏电极中的任一方上形成接触孔，

其中所述像素电极形成在所述层间绝缘膜上，该像素电极通过所述接触孔连 到所述源电极及漏电极中的一方。

3.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括如下 步骤：

在所述源电极及漏电极中的另一方上形成第二接触孔；

在所述层间绝缘膜上形成布线，该布线通过所述第二接触孔连接到所述源电 及漏电极中的另一方。

4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于， 所述微晶半导体膜包括粒径为0.5nm至20nm的半导体结晶。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述缓冲层包括非晶半导体膜。

6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述缓冲层包括包含氮、氢、氟、氯、溴、或碘的非晶半导体膜。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述显示装置为液晶显示装置。

8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于，

所述显示装置为发光装置。

9.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

在衬底上形成栅电极；

在所述衬底及所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成微晶半导体膜；

将激光束照射到所述微晶半导体膜；

在进行所述照射步骤之后，在所述微晶半导体膜上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜；

通过选择性地蚀刻所述添加有赋予一导电类型的杂质元素的半导体膜，形成 源区及漏区；

在形成所述源区及漏区之后，选择性地蚀刻所述缓冲层和所述微晶半导体 膜；

在选择性地蚀刻所述缓冲层和所述微晶半导体膜之后，在所述源区及漏区 上分别形成源电极及漏电极；以及

形成与所述源电极及漏电极中的一方接触的像素电极。

10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括如 下步骤：

在所述源电极及漏电极上形成层间绝缘膜；

在所述源电极及漏电极中的任一方上形成接触孔，

其中所述像素电极形成在所述层间绝缘膜上，该像素电极通过所述接触孔 连到所述源电极及漏电极中的一方。

11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括如 下步骤：

在所述源电极及漏电极中的另一方上形成第二接触孔；

在所述层间绝缘膜上形成布线，该布线通过所述第二接触孔连接到所述源 电及漏电极中的另一方。