[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有隧道绝缘层和由绝缘材料形成的电荷存储层；

在所述电荷存储层上形成堆叠层；

图案化所述堆叠层以暴露出所述电荷存储层的一部分；和

使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl₂)气体、氯化氢(HCl)气体及其混合气体中的一种作为蚀刻气体，蚀刻所述暴露的电荷存储层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述隧道绝缘层由氧化物层形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述电荷存储层由氮化物层形成。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体包含用于提高相对于所述隧道绝缘层的蚀刻选择比的第一附加气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述电荷存储层的蚀刻还包括：当通过所述蚀刻气体蚀刻所述电荷存储层时，在暴露出所述隧道绝缘层之前，将所述第一附加气体与所述蚀刻气体混合。

6.根据权利要求4所述的方法，其中使用与所述第一附加气体混合的蚀刻气体，实施对所述电荷存储层的蚀刻，直至暴露出所述隧道绝缘层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一附加气体包括氧(O₂)气体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体包含用于提高相对于所述电荷存储层的蚀刻选择比的第二附加气体。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二附加气体包括氩(Ar)气体、氦(He)气体、氙(Xe)气体、氮(N₂)气体及其混合气体中的一种。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在施加20～200W的偏压功率的状态下实施所述电荷存储层的蚀刻。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述堆叠层包括电荷阻挡层、栅极层和硬掩模。

12.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有氧化物层和氮化物层；和

使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl₂)气体、氯化氢(HCl)气体及其混合气体中的一种作为蚀刻气体，蚀刻所述氮化物层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻气体包含用于提高相对于所述氧化物层的蚀刻选择比的第一附加气体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮化物层的蚀刻还包括：当通过所述蚀刻气体蚀刻所述氮化物层时，在暴露出所述氧化物层之前，将所述第一附加气体与所述蚀刻气体混合。

15.根据权利要求13所述的方法，其中使用与所述第一附加气体混合的所述蚀刻气体，实施所述氮化物层的蚀刻直至暴露出所述氧化物层。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一附加气体包括氧(O₂)气体。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述蚀刻气体包含用于提高相对于所述氮化物层的蚀刻选择比的第二附加气体。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二附加气体包括氩(Ar)气体、氦(He)气体、氙(Xe)气体、氮(N₂)气体及其混合气体中的一种。

19.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成隔离层和栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述栅极、所述栅极绝缘层和所述隔离层上形成间隔物材料层；和

蚀刻所述间隔物材料层，使得所述间隔物材料层保留在所述栅极的侧表面上，其中使用溴化氢(HBr)气体、氯(Cl₂)气体、氯化氢(HCl)气体及其混合气体中的一种作为蚀刻气体来蚀刻所述间隔物材料层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述间隔物材料层包括氮化物层，所述绝缘层包括氧化物层。

21.根据权利要求19所述的方法，其中所述蚀刻气体包含用于提高相对于所述绝缘层的蚀刻选择比的氧(O₂)气体。

22.根据权利要求19所述的方法，其中所述蚀刻气体包含用于提高相对于所述间隔物材料层的蚀刻选择比的附加气体，所述附加气体包括氩(Ar)气体、氦(He)气体、氙(Xe)气体、氮(N₂)气体及其混合气体中的一种。