[发明专利]用于在刻蚀室中使用先进图案膜进行刻蚀的方法

权利要求书

1.一种刻蚀先进图案膜(APF)的方法，包括以下步骤：

将包括APF层的晶片提供到处理室中，其中所述处理室构造有以约162MHz工作的电源；

将处理气体供应到所述室中，其中所述处理气体包括氢气(H₂)、氮气(N₂)和一氧化碳气体(CO)，并且H₂:N₂的比率是约1:1；

使用所述162MHz电源施加源功率；以及

将偏压功率施加到所述晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过在将所述处理气体供应到所述处理室中之前将300sccm的H₂、300sccm的N₂和25-100sccm的CO混合来准备所述处理气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中通过在将所述处理气体供应到所述处理室中之前将300sccm的H₂、300sccm的N₂和50sccm的CO混合来准备所述处理气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述源功率在0瓦和2300瓦之间的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述偏压功率在0瓦和1000瓦之间的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括维持约100毫托的处理压力。

7.一种刻蚀先进图案膜(APF)的方法，包括以下步骤：

将包括APF层的晶片提供到处理室中，其中所述处理室构造有以约162MHz工作的电源；

将处理气体供应到所述室中，其中所述处理气体包括氢气(H₂)、氮气(N₂)和一氧化碳气体(CO)，并且H₂:N₂的比率是约3:1；

将约2000瓦的功率施加到以162MHz工作的所述电源；

将约900瓦的偏压施加到所述晶片；以及

维持约100毫托的处理压力。

8.根据权利要求7所述的方法，其中通过在将所述处理气体供应到所述处理室中之前将450sccm的H₂、150sccm的N₂和25-100sccm的CO混合来准备所述处理气体。

9.一种刻蚀先进图案膜(APF)的方法，包括以下步骤：

将包括APF层的晶片提供到处理室中，其中所述处理室构造有以约162MHz工作的电源；

将所述晶片的温度调节在油路20℃与60℃之间；

将处理气体供应到所述室中，其中所述处理气体包括氢气(H₂)、氮气(N₂)和一氧化碳气体(CO)；

使用所述162MHz电源施加源功率；

将偏压功率施加到所述晶片；以及

维持约100毫托的处理压力。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在所述处理气体中的所述H₂和所述N₂具有约1:1的H₂:N₂的比率。

11.根据权利要求10所述的方法，其中通过在将所述处理气体供应到所述处理室中之前将300sccm的H₂、300sccm的N₂和25-100sccm的CO混合来准备所述处理气体。

12.根据权利要求9所述的方法，其中在所述处理气体中的所述H₂和所述N₂具有约3:1的H₂:N₂的比率。

13.根据权利要求12所述的方法，其中通过在将所述处理气体供应到所述处理室中之前将450sccm的H₂、150sccm的N₂和25-100sccm的CO混合来准备所述处理气体。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述源功率在0瓦和2300瓦之间的范围内。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述偏压功率在0瓦和1000瓦之间的范围内。