[发明专利]硅基金属合金薄膜、具该薄膜的外壳和电子装置及制造方法

权利要求书

1. 一种硅基金属合金薄膜，其中硅的含量为百分之62到百分之85重量百分比，其余 重量百分比为金属，所述金属选自铝、镍、钛、锌或其组合的群组。

2. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜，其中所述硅基金属合金薄膜的厚度为 200到600纳米。

3. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜，其中所述硅基金属合金薄膜的电阻值大 于100M欧姆。

4. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜，其中所述硅基金属合金为硅铝合金。

5. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜，其中所述硅基金属合金薄膜电性绝缘。

6. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜，其中所述硅基金属合金薄膜为非晶质连 续结构。

7. 根据权利要求1所述的硅基金属合金薄膜，其进一步包括设置在所述硅基金属合金 薄膜的一表面上的至少一个图样。

8. 根据权利要求7所述的硅基金属合金薄膜，其进一步包括基础薄膜，所述图样设置 在所述硅基金属合金薄膜与所述基础薄膜之间。

9. 根据权利要求8所述的硅基金属合金薄膜，其中所述基础薄膜为高分子薄膜。

10. 一种具硅基金属合金薄膜的外壳，其包括：

壳体；以及

硅基金属合金薄膜，其设置在所述壳体的一表面上，其中硅的含量为百分之62 到百分之85重量百分比，其余重量百分比为金属，所述金属选自铝、镍、钛、锌 或其组合的群组。

11. 根据权利要求10所述的外壳，其中所述硅基金属合金为硅铝合金。

12. 根据权利要求10所述的外壳，其中所述硅基金属合金薄膜电性绝缘。

13. 根据权利要求10所述的外壳，其中所述硅基金属合金薄膜为非晶质连续结构。

14. 根据权利要求10所述的外壳，其进一步包括设置在所述硅基金属合金薄膜的一表 面上的至少一个图样。

15. 根据权利要求14所述的外壳，其进一步包括彩色透光层，覆盖所述图样和所述硅 基金属合金薄膜。

16. 一种具硅基金属合金薄膜的电子装置，其包括：

壳体；以及

硅基金属合金薄膜，其设置在所述壳体的一表面上，其中硅的含量为百分之62 到百分之85重量百分比，其余重量百分比为金属，所述金属选自铝、镍、钛、锌 或其组合的群组。

17. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述壳体为非金属基材。

18. 根据权利要求17所述的电子装置，其中所述非金属基材为塑料材质。

19. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述硅基金属合金薄膜的厚度为200到600 纳米。

20. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述硅基金属合金薄膜的电阻值大于100M 欧姆。

21. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述硅基金属合金为硅铝合金。

22. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述硅基金属合金薄膜电性绝缘。

23. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述壳体是利用射出成型方法制造的。

24. 根据权利要求16所述的电子装置，其进一步包括设置在所述硅基金属合金薄膜的 一表面上的至少一个图样。

25. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述电子装置为移动通信装置。

26. 根据权利要求25所述的电子装置，其中所述移动通信装置为移动电话或个人数字 助理。

27. 根据权利要求16所述的电子装置，其中所述电子装置为图像显示装置。