[发明专利]一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200810133222.5 | 申请日： | 2008-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101630691A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李秋德 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 屈小春 |
| 地址： | 215025江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 金属 栅极 薄膜晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，包括玻璃基板内的嵌入式沟槽，其中依次排列金属栅极、栅介电质、非晶硅层，以及非晶硅层两侧的有源区，该薄膜晶体管的上部与玻璃基板的上部共面。
2.根据权利要求1所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述嵌入式沟槽通过光阻工艺或蚀刻工艺形成。
3.根据权利要求1所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述金属栅极的材料为铜。
4.根据权利要求1所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述金属栅极的材料为铝。
5.根据权利要求1所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述栅介电质为氮化硅绝缘膜。
6.根据权利要求1所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述有源区为氮掺杂非晶硅。
7.根据权利要求1所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，在该薄膜晶体管的源极部分使用钼，漏极部分使用氧化铟锡。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述金属栅极的厚度由金属可填入嵌入式沟槽的厚度决定。
9.根据权利要求8所述的一种嵌入式金属栅极薄膜晶体管，其特征在于，上述金属栅极的厚度为交错式结构厚度的三倍以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技（苏州）有限公司，未经和舰科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810133222.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：上下固定格子推拉窗型材
- 下一篇：保密柜传动结构
- 同类专利
- 专利分类
