[发明专利]接触空穴、半导体器件、液晶显示器及EL显示器的制法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在基片上形成栅电极；

在该栅电极上形成第一绝缘膜；

在该第一绝缘膜上形成第一半导体膜；

在该半导体膜上形成通道保护膜；

在该第一半导体膜和通道保护膜上形成包含杂质元素的第二半导体膜；

通过蚀刻该第一半导体膜和第二半导体膜形成岛形半导体膜、源极区和漏极区；

在该源极区、漏极区和通道保护膜上形成有机薄膜；

在该有机薄膜上形成掩模图案；

利用该掩模图案作为掩模，使此有机薄膜构成岛形图案；

除去此掩模图案；

通过自校准方式在岛形有机薄膜的周边形成第二绝缘膜；

通过除去此岛形有机薄膜形成接触孔；及

在所述接触孔中形成源极线路和漏极线路，

其中该岛形有机薄膜排斥第二绝缘膜。

2.按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其中该有机薄膜通过硅烷偶联剂形成。

3.按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其中该有机薄膜在含氟气氛下通过等离子体处理形成。

4.按照权利要求2的制造半导体器件的方法，其中该硅烷偶联剂是氟烷基硅烷。

5.按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其中该掩模图案是水可溶树脂或有机树脂。

6.按照权利要求5的制造半导体器件的方法，其中所述有机树脂是聚乙烯醇。

7.按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其中该掩模图案通过水洗除去。

8.按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其中该第二绝缘膜是锥形的。

9.按照权利要求1的制造半导体器件的方法，其中该岛形有机薄膜通过O₂灰化或常压等离子体除去。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

在基片上形成栅电极；

在该栅电极上形成第一绝缘膜；

在该第一绝缘膜上形成第一半导体膜；

在该第一半导体膜上形成包含杂质元素的第二半导体膜；

通过蚀刻该第一半导体膜和第二半导体膜形成岛形第一半导体膜和岛形第二半导体膜；

在该岛形第二半导体膜上形成源电极和漏电极；

利用源电极和漏电极作为掩模蚀刻该岛形第二半导体膜，形成源极区和漏极区；

在源电极和漏电极上形成有机薄膜；

在有机薄膜上形成掩模图案；

利用该掩模图案作为掩模，使此有机薄膜构成岛形图案；

除去此掩模图案；

通过自校准方式在岛形有机薄膜的周边形成第二绝缘膜；

通过除去此岛形有机薄膜形成接触孔；及

在所述接触孔中形成源极线路和漏极线路，

其中该岛形有机薄膜排斥第二绝缘膜。

11.按照权利要求10的制造半导体器件的方法，其中该有机薄膜通过硅烷偶联剂形成。

12.按照权利要求10的制造半导体器件的方法，其中该有机薄膜在含氟气氛下通过等离子体处理形成。

13.按照权利要求11的制造半导体器件的方法，其中该硅烷偶联剂是氟烷基硅烷。

14.按照权利要求10的制造半导体器件的方法，其中该掩模图案是水可溶树脂或有机树脂。

15.按照权利要求14的制造半导体器件的方法，其中所述有机树脂是聚乙烯醇。

16.按照权利要求10的制造半导体器件的方法，其中该掩模图案通过水洗除去。

17.按照权利要求10的制造半导体器件的方法，其中该第二绝缘膜是锥形的。

18.按照权利要求10的制造半导体器件的方法，其中该岛形有机薄膜通过O₂灰化或常压等离子体除去。