[发明专利]接触空穴、半导体器件、液晶显示器及EL显示器的制法有效
申请号: | 200810133345.9 | 申请日: | 2005-01-31 |
公开(公告)号: | CN101345197A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 藤井严;城口裕子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 林森 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 空穴 半导体器件 液晶显示器 el 显示器 制法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法,包括:
在基片上形成栅电极;
在该栅电极上形成第一绝缘膜;
在该第一绝缘膜上形成第一半导体膜;
在该半导体膜上形成通道保护膜;
在该第一半导体膜和通道保护膜上形成包含杂质元素的第二半导体膜;
通过蚀刻该第一半导体膜和第二半导体膜形成岛形半导体膜、源极区和漏极区;
在该源极区、漏极区和通道保护膜上形成有机薄膜;
在该有机薄膜上形成掩模图案;
利用该掩模图案作为掩模,使此有机薄膜构成岛形图案;
除去此掩模图案;
通过自校准方式在岛形有机薄膜的周边形成第二绝缘膜;
通过除去此岛形有机薄膜形成接触孔;及
在所述接触孔中形成源极线路和漏极线路,
其中该岛形有机薄膜排斥第二绝缘膜。
2.按照权利要求1的制造半导体器件的方法,其中该有机薄膜通过硅烷偶联剂形成。
3.按照权利要求1的制造半导体器件的方法,其中该有机薄膜在含氟气氛下通过等离子体处理形成。
4.按照权利要求2的制造半导体器件的方法,其中该硅烷偶联剂是氟烷基硅烷。
5.按照权利要求1的制造半导体器件的方法,其中该掩模图案是水可溶树脂或有机树脂。
6.按照权利要求5的制造半导体器件的方法,其中所述有机树脂是聚乙烯醇。
7.按照权利要求1的制造半导体器件的方法,其中该掩模图案通过水洗除去。
8.按照权利要求1的制造半导体器件的方法,其中该第二绝缘膜是锥形的。
9.按照权利要求1的制造半导体器件的方法,其中该岛形有机薄膜通过O2灰化或常压等离子体除去。
10.一种制造半导体器件的方法,包括:
在基片上形成栅电极;
在该栅电极上形成第一绝缘膜;
在该第一绝缘膜上形成第一半导体膜;
在该第一半导体膜上形成包含杂质元素的第二半导体膜;
通过蚀刻该第一半导体膜和第二半导体膜形成岛形第一半导体膜和岛形第二半导体膜;
在该岛形第二半导体膜上形成源电极和漏电极;
利用源电极和漏电极作为掩模蚀刻该岛形第二半导体膜,形成源极区和漏极区;
在源电极和漏电极上形成有机薄膜;
在有机薄膜上形成掩模图案;
利用该掩模图案作为掩模,使此有机薄膜构成岛形图案;
除去此掩模图案;
通过自校准方式在岛形有机薄膜的周边形成第二绝缘膜;
通过除去此岛形有机薄膜形成接触孔;及
在所述接触孔中形成源极线路和漏极线路,
其中该岛形有机薄膜排斥第二绝缘膜。
11.按照权利要求10的制造半导体器件的方法,其中该有机薄膜通过硅烷偶联剂形成。
12.按照权利要求10的制造半导体器件的方法,其中该有机薄膜在含氟气氛下通过等离子体处理形成。
13.按照权利要求11的制造半导体器件的方法,其中该硅烷偶联剂是氟烷基硅烷。
14.按照权利要求10的制造半导体器件的方法,其中该掩模图案是水可溶树脂或有机树脂。
15.按照权利要求14的制造半导体器件的方法,其中所述有机树脂是聚乙烯醇。
16.按照权利要求10的制造半导体器件的方法,其中该掩模图案通过水洗除去。
17.按照权利要求10的制造半导体器件的方法,其中该第二绝缘膜是锥形的。
18.按照权利要求10的制造半导体器件的方法,其中该岛形有机薄膜通过O2灰化或常压等离子体除去。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810133345.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有可伸缩连接结构的MP3播放器
- 下一篇:电解槽烘烤加热装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造