[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 200810133473.3 | 申请日: | 2008-07-25 |
公开(公告)号: | CN101359135A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 冈真一郎;伊东理;广田升一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭放 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示装置,特别涉及IPS方式的液晶显示装置的电极结构。
背景技术
液晶显示装置与以CRT(Cathode Ray Tube,阴极射线管)、PDP(Plasma Display Panel,等离子显示器)等为代表的自发光型的显示器不同,是通过调节光的透射光量来显示图像的非发光型的显示器。液晶显示器(LCD:Liquid Crystal Display)具有薄、轻、低功耗的特征。
当前,作为可以达成宽视场角的代表性的液晶显示方式,可以举出IPS(In Plane Switching,面内切换)方式和VA(VerticalAlignment,垂直取向)等。IPS方式是通过液晶分子在面内方向上旋转而使有效的延迟(retardation)在面内旋转来控制透射率的液晶驱动方式。因此,在IPS方式的LCD中,液晶的延迟随视场角的变化小。因此,已知IPS方式的LCD可以实现宽视场角。为了施加横向电场,提出了各种方法,最一般的方法为使用梳齿电极的方法。在利用梳齿电极施加横向电场的方法中,将像素电极和公共电极都设成梳齿状的方法、以及将像素电极和公共电极的某一方设为梳齿状并隔着绝缘层配置完整(实心)的公共电极或像素电极的方法等已得到了实用化。另外,还提出了各种电极结构。
IPS方式是施加横向电场而使液晶分子在面内旋转的方式。在液晶显示元件的所有像素中,为了使液晶分子在面内方向上均匀地旋转,需要施加方向与面内完全平行的电场。但是,这实际上难以实现;在现有技术中,通过在一侧的基板上配置被称为梳齿电极的电极,来近似地施加横向电场。为了进一步提高透射率,必需使液晶分子更均匀地在面内方向旋转。
为了解决上述问题,提出了如下述非专利文献1所示的电极结构。在该电极结构中,隔着绝缘层,当下侧电极的数量为1个时上侧的电极数量为2个,该电极的电位逐周期地的交替为公共电位和信号电位。但是,在该结构中,存在如下问题:在电极上部的液晶分子无法充分地在面内方向上旋转。
非专利文献1:J.Dis.Tech.Vol.2,No.2.2006,P114
发明内容
本发明的目的在于提供一种在横向电场方式的LCD中提高了透射率的液晶显示装置。
本发明的液晶显示装置的特征在于,具有:第1基板;第2基板;夹在上述第1基板和第2基板之间的液晶层、由以矩阵状配置在上述第2基板上的扫描布线和信号布线所包围的多个像素,对于上述第2基板,在配置有液晶层的一侧的像素区域中,配置有第1像素电极和第2像素电极、以及第1公共电极和第2公共电极,上述第1像素电极和上述第1公共电极配置在第1层,上述第2像素电极和上述第2公共电极配置在第2层,上述第1像素电极和上述第2公共电极在上述像素内重叠,上述第2像素电极和上述第1公共电极在上述像素内重叠。
以上,根据本发明,可以提供高透射率且颜色偏移小的液晶显示装置。
附图说明
图1是实施例1的液晶单元的平面结构的概略图。
图2是图1所示的A-A’间的剖面概略图。
图3是图1所示的B-B’间的剖面概略图。
图4是构成像素显示区域的呈矩阵状配置的像素的等效电路图。
图5是本发明的液晶显示装置的剖面概略图。
图6是用于确认实施例1的效果的仿真模型。
图7是图6所示的模型的仿真结果。
图8是其他液晶单元的平面结构的概略图。
图9是图8所示的C-C’间的剖面概略图。
图10是其他液晶单元的平面结构的概略图。
图11是其他液晶单元的平面结构的概略图。
图12是实施例2的液晶单元的平面结构的概略图。
图13是实施例3的液晶单元的平面结构的概略图。
图14是图13所示的D-D’间的剖面概略图。
图15是实施例4的液晶单元的平面结构的概略图。
图16是图15所示的E-E’间的剖面概略图。
图17是实施例5的液晶单元的平面结构的概略图。
图18是图17所示的F-F’间的剖面概略图。
附图标记说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器,未经株式会社日立显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810133473.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成形设备的改进或者涉及成形设备的改进
- 下一篇:半导体器件及制作方法