[发明专利]半导体存储器件隔离层的形成方法

权利要求书

1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成隧道绝缘层和电荷俘获层；

通过蚀刻所述电荷俘获层、所述隧道绝缘层和所述半导体衬底形成隔离沟槽；

在所述电荷俘获层上和在所述隔离沟槽内形成钝化层，所述钝化层覆盖所述隔离沟槽；

在所述隔离沟槽的底部形成第一绝缘层，所述第一绝缘层暴露出所述钝化层的一部分，所述钝化层的暴露部分在形成所述第一绝缘层期间被氧化；

蚀刻所述钝化层的暴露部分以减少所述钝化层暴露部分的厚度；和

至少在所述隔离沟槽内和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，以形成包括所述第一和第二绝缘层的隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层的高度不超过所述隔离沟槽的高度的1/2。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包含氮化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一绝缘层和第二绝缘层是氧化物层，所述第一绝缘层和第二绝缘层均使用高密度等离子体(HDP)工艺形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使用顺序地重复沉积工艺、蚀刻工艺和沉积工艺的沉积-蚀刻-沉积(DED)方法形成所述第一绝缘层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中使用SiH₄气体和O₂气体实施所述沉积工艺。

7.根据权利要求5所述的方法，其中使用采用NF₃气体的远程等离子体方法实施所述DED方法的蚀刻工艺。

8.根据权利要求5所述的方法，其中使用包含NF₃和HF的蚀刻剂实施所述蚀刻工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述第一绝缘层之后，在氧环境中实施退火工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其中使用包含H₂SO₄的蚀刻剂来实施所述钝化层的暴露部分的蚀刻。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层形成为200～300埃的厚度。

12.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在半导体层上形成隧道绝缘层，在所述隧道绝缘层上形成电荷俘获层；

通过蚀刻所述电荷俘获层、所述隧道绝缘层和所述半导体衬底形成隔离沟槽；

在包括所述隔离沟槽的整个表面上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述隔离沟槽；

在所述隔离沟槽内形成第一绝缘层，所述第一绝缘层填充所述隔离沟槽的底部并且暴露出覆盖所述隔离沟槽上部的所述钝化层部分；

部分蚀刻所述钝化层的暴露部分以减少所述钝化层暴露部分厚度；和

至少在所述隔离沟槽内和所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，其中在形成所述第二绝缘层期间，在所述电荷俘获层的侧壁上形成的所述钝化层被氧化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述钝化层包括氮化物层，所述钝化层在所述第二绝缘层的形成期间被氧化。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均由高密度等离子体(HDP)氧化物层形成。

15.根据权利要求12所述的方法，其中使用顺序地重复沉积工艺、蚀刻工艺和沉积工艺的沉积-蚀刻-沉积(DED)方法形成所述第一绝缘层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中使用SiH₄气体和O₂气体实施所述DED方法的所述沉积工艺。

17.根据权利要求15所述的方法，其中使用采用NF₃气体的远程等离子体方法或包含NF₃和HF的蚀刻剂来实施所述DED方法的所述蚀刻工艺。

18.根据权利要求12所述的方法，还包括在所述第一绝缘层形成之后，实施采用氧气的退火工艺。

19.根据权利要求1所述的方法，其中使用包含H₂SO₄的蚀刻剂蚀刻所述钝化层的暴露部分。

20.根据权利要求12所述的方法，其中所述钝化层形成为200～300埃的厚度。