[发明专利]介电物质的沉积方法及其所应用的前驱体无效
| 申请号： | 200810133816.6 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101624696A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 聶鑫誉;黄才育;谢君毅 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 洪;霍育栋 |
| 地址： | 台湾省桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 物质 沉积 方法 及其 应用 前驱 | ||
1.一种应用于制造介电物质的前驱体，其中，所述前驱体是Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。
2.根据权利要求1所述的前驱体，其特征在于，所述前驱体为Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2]。
3.一种介电物质的沉积方法，所述介电物质具有一第一主元素与一第二主元素，其中所述第一主元素与所述第二主元素存在于一单一的前驱体中，其特征在于，所述沉积方法包含下列步骤：
脉冲所述单一的前驱体；
清洗多余的所述前驱体；
脉冲氧化剂；以及
清洗多余的所述氧化剂。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述前驱体所含之所述第一主元素是自铝、铪与锆中选择一种。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述前驱体所含之所述第二主元素为硅。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述前驱体是Hf(N(CH3)a)b[N(Si(CH3)c)d]。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述前驱体是Hf(N(CH3)2)3[N(Si(CH3)3)2]。
8.一种应用于沉积介电物质的前驱体，其中，所述前驱体是金属硅酸盐并具有一第一主元素与硅元素，且所述第一主元素是选自铝、铪与锆中的一种。
9.根据权利要求8所述的前驱体，其特征在于，所述前驱体是应用于介电物质的沉积作业，而所述沉积作业的步骤首先是脉冲所述前驱体；接着是清洗多余的所述前驱体；之后是脉冲氧化剂；以及清洗多余的所述氧化剂，如此，即完成了所述介电物质的沉积作业。
10.根据权利要求9所述的前驱体，其特征在于，所述氧化剂是选自臭氧、氧气以及水中的一种。
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